Search the Community
Showing results for tags 'energy efficient'.
The search index is currently processing. Current results may not be complete.
-
[NEWS_IMG=AMD, άυξηση της ενεργειακή απόδοσης των APUs μέχρι το 2020]http://www.hwbox.gr/images/news_images/amd2.jpg[/NEWS_IMG] Η AMD αποκάλυψε τους στόχους της για να αυξήσει την ενεργειακή απόδοση των APUs της 25 φορές μέχρι το 2020. Η AMD σε ανακοίνωσή της βάζει έναν νέο στόχο (αποκαλείται και "25X20") για αύξηση της ενεργειακής απόδοσης των APUs της 25 φορές μέχρι το 2020. Σύμφωνα με την εταιρεία πριν από έξι χρόνια και συγκεκριμένα το διάστημα 2008-σήμερα, κατάφερε να βελτιώσει την ενεργειακή απόδοση των προϊόντων της περισσότερο από 10 φορές. Η εταιρεία παρουσιάζει στοιχεία σύμφωνα με τα οποία σε παγκόσμιο επίπεδο, 3 δις. ηλεκτρονικοί υπολογιστές χρησιμοποιούν περισσότερο από το 1% της συνολικής ενέργειας που καταναλώνεται σε ένα χρόνο, ενώ 30 εκατομμύρια servers χρησιμοποιούν ένα πρόσθετο ποσοστό 1.5% του συνολικού ρεύματος που καταναλώνεται ετησίως με κόστος 14-18 εκατομμύρια $. Οι τεχνολογίες που λειτουργούν προς όφελος αυτού του στόχου, είναι σίγουρα το Heterogeneous-computing μέσω της HSA αρχιτεκτονικής συνδυάζοντας την επεξεργαστική ισχύ της GPU και της CPU σε διάφορους τομείς, όπως επεξεργασία εικόνας, βίντεο. Επίσης σημαντικό είναι το real-time power management, μια τεχνολογία που αντιλαμβάνεται καλύτερα την ώρα που ο υπολογιστής μένει αδρανής, χρησιμοποιώντας ελάχιστη ενέργεια. [img_alt=AMD, αύξηση της ενεργειακή απόδοσης των APUs μέχρι το 2020]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums430-picture29635.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
- 14 replies
-
[NEWS_IMG=Samsung 40 nm process: 4 Gbit DDR3 on one chip]http://reviews.hwbox.gr/news/samsung.jpg[/NEWS_IMG]Φαίνεται ότι ο γίγαντας Samsung δεν κάθεται με σταυρωμένα τα χέρια, αλλά δίνει μια νέα πνοή εξελίξεων σε αυτό που ονομάζουμε τεχνολογική πρόοδος. Μετά την ανακοίνωση του για μετάβαση στα 30 nm στα μέσα του 2010, συνεχίζει να σπρώχνει ολοένα τα δρώμενα για περισσότερη πυκνότητα μνημών, μικρότερες τάσεις και φυσικά μεγαλύτερες επιδόσεις. Το νέο του επίτευγμα έχει να κάνει με τη διάθεση μνημών DDR3 υψηλής πυκνότητας που αγγίζει τα 4 Gbit, ταχύτητες μέχρι και 1600 MHz και τάσεις που πέφτουν μέχρι και τα 1.35 Volts. “Όταν πρωτοεμφανίστηκαν οι μνήμες DDR3 κατασκευασμένες με λιθογραφική μέθοδο των 40 nm τον περασμένο Ιούλιο, βρισκόμασταν αρκετά μπροστά από τον ανταγωνισμό με υψηλής πυκνότητας και επιδόσεων DDR3,” αναφέρει ο Dong-Soo Jun, executive vice president, memory marketing, Samsung Electronics. “Tώρα, μετά το πέρας μόλις επτά μηνών, έχουμε παρουσιάσει μια εξαιρετικά χαμηλής κατανάλωσης «Green Memory» - την DDR3 των 4 Gbit που έχει τη διπλάσια πυκνότητα από τον προκάτοχο της. Στην πυκνότητα των 16 GB ανά module, συγκεκριμένο μοντέλο μπορεί να διασφαλίσει την μείωση της κατανάλωσης κατά 35% , για να υποστηρίξει τις απαιτήσεις των χρηστών για ακόμα περισσότερα energy-efficient σχέδια.” Ήδη ετοιμάζονται μνήμες RDimmʼs με χωρητικότητες των 16 και 32 GB, όπως και 8 GB SO-Dimmʼs, ενώ η Samsung στοχεύει να μεταφέρει το 90% της παραγωγής στα 40 nm άμεσα ειδικά τώρα που μπορεί να κατασκευάσει modules των 4 Gbit. [img_ALT=Samsung 40 nm process] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354b850f589d1d7.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ . . .
- 2 replies
-
- 4 gb ddr3 module
- 40 nm
-
(and 3 more)
Tagged with: