Search the Community
Showing results for tags 'micron'.
-
[NEWS_IMG=Τα ακριβή Specs των GDDR5X στο προσκήνιο από την Micron]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Η Micron έχει ήδη ανακοινώσει την αποστολή δειγμάτων σε πολλούς κατασκευαστές του χώρου, όμως πριν από λίγες ημέρες ανάρτησε και τα ακριβή χαρακτηριστικά των μνημών στο =GDDR5X"]site της. Συγκεκριμένα, τα πρώτα chip που θα κυκλοφορήσουν θα είναι 8Gb, δηλαδή χωρητικότητας 1GB διπλασιάζοντας αυτή των GDDR5 ενώ οι απαιτήσεις τους σε ρεύμα θα είναι 1.35V για το I/O Voltage και 1.8V στο Vpp. Τα chip θα κατασκευάζονται στα 20nm. Τα πρώτα δείγματα υποστηρίζουν όλα τα χαρακτηριστικά του νέου spec όπως ταχύτητες Quad Data Rate (QDR) που στην ουσία διπλασιάζουν τα δεδομένα που μπορούν να μεταφερθούν ανά κύκλο ρολογιού, σε σχέση πάντα με το DDR. Παράλληλα το διευρυμένο prefetch 16n (datawords), χαρακτηριστικό που βρίσκουμε στις DDR4 SDRAM και ο κυριότερος "υπαίτιος" που αυξάνει το bandwidth. Μεγαλύτερο prefetch ισούται με λιγότερη αναμονή κατά τις αναγνώσεις/εγγραφές των στοιχείων στη μνήμη κάτι που συνεπάγεται σε πάνω απ' το διπλάσιο bandwidth απ' ότι οι GDDR5. Συγκεκριμένα, το κάθε chip θα έχει throughput από 40GB/s έως και 48GB/s με συνολικό bandwidth 384GB/s σε μια συστοιχία με 8 αντίστοιχες μνήμες. Οι συμβατές κάρτες γραφικών, εκτός της διπλάσιας χωρητικότητας (από 4GB, 8GB) θα έχουν και χαμηλότερη κατανάλωση. Αξίζει να αναφέρουμε πως οι GDDR5X μπορούν να έχουν εύρος διαύλου έως και 512-bit όμως η Micron για την ώρα δεν έχει παρουσιάσει αντίστοιχες υλοποιήσεις. [img_alt=Τα ακριβή Specs των GDDR5X στο προσκήνιο από την Micron]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture61406.png[/img_alt] [img_alt=Τα ακριβή Specs των GDDR5X στο προσκήνιο από την Micron]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture61405.png[/img_alt] [img_alt=Τα ακριβή Specs των GDDR5X στο προσκήνιο από την Micron]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture61404.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Τα πρώτα δείγματα GDDR5X ξεκινούν να αποστέλλονται στου κατασκευαστές]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Πηγές της βιομηχανίας αναφέρουν πως AMD και NVIDIA έχουν δείξει το ενδιαφέρον τους για τον συγκεκριμένο τύπο μνήμης. Η γνωστή κατασκευάστρια DRAM, Micron ανέφερε πως ξεκίνησε την αποστολή λειτουργικών δειγμάτων GDDR5X στους πρώτους συνεργάτες της, για να ενσωματώσουν την τεχνολογία στα επερχόμενα προϊόντα τους. Ανάμεσα σε αυτούς βρίσκονται και οι AMD, NVIDIA οι οποίοι λέγεται πως θα τις ενσωματώσουν στις επόμενες κάρτες γραφικών. Θετικό στοιχείο είναι το γεγονός πως έχουν παρόμοια ηλεκτρική δομή και έτσι μπορούν εύκολα να αντικαταστήσουν τις GDDR5 στις τωρινές κάρτες, ενώ με την υψηλότερη συχνότητα και τη χαμηλότερη κατανάλωση ρεύματος των 1.35V, θα ωθήσουν τις επιδόσεις και την αποδοτικότητα πιο ψηλά. [img_alt=Τα πρώτα δείγματα GDDR5X ξεκινούν να αποστέλλονται στου κατασκευαστές]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture61104.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ... -
[NEWS_IMG=Εξαλείφονται οι διαφορές στην τιμή των DDR3 - DDR4]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general5.jpg[/NEWS_IMG] Φτάσαμε για άλλη μια φορά στο σημείο που η νέα τεχνολογία DRAM γίνεται πιο προσιτή με αρκετά χαμηλές τιμές που έχουν να εμφανιστούν εδώ και μήνες. Οι DDR4 βρίσκονται ήδη στις περισσότερες πλατφόρμες της αγοράς. Όταν πρωτοεμφανίστηκαν στο X99, οι τιμές ήταν απαγορευτικές για τα περισσότερα δεδομένα των χρηστών, όμως με την έλευση του mainstream LGA1151 οι τιμές άρχισαν εμφανώς να γίνονται πιο εύπεπτες και πλέον, μετά από σχεδόν 6 μήνες μπορούμε να πούμε πως οι τιμές έχουν γίνει πιο ελκυστικές από ποτέ. Οι τιμές ενός 4Gb DDR4-2133 στην Ταϊβανέζικη αγορά έχουν ήδη φτάσει τα $1.814 και ένα 4Gb DDR3 με χρονισμούς 1600MHz κοστίζει περίπου $1.807, έχοντας πέσει από τα $1.878 του Δεκεμβρίου και τα υπερβολικά $2.658 του περασμένου Ιουνίου. Την ίδια εποχή του 2015, DDR4 chips κόστιζαν $3.618, μια εξίσου υψηλή τιμή που όμως δικαιολογείται από τη νέα τεχνολογία. Οι χαμηλές τιμές ανά chip επηρεάζουν και τις τιμές των modules αυτών καθ' αυτών έπεσαν στα $15.50, αρκετά χαμηλότερα από τα $16.75 του Δεκεμβρίου. Οι DDR4 συνεχίζουν την πτώση και λόγω της συνεχόμενης ενσωμάτωσης από την αγορά (aka OEM) και έτσι βλέπουμε όλο και πιο φθηνά kit να φτάνουν στα χέρια μας. Όσον αφορά τους κορυφαίους κατασκευαστές, η Samsung εξακολουθεί να βρίσκεται στη πρώτη θέση με σχεδόν το διπλάσιο ποσοστό της δεύτερης SK Hynix ενώ η Micron διατηρεί την 3η θέση στη κλίμακα των κατασκευαστών. Η Nanya ακολουθεί αμέσως μετά και τέλος οι Winbond και PowerChip είναι αυτές που συμπληρώνουν τη λίστα των κορυφαίων κατασκευαστών. [img_alt=Εξαλείφονται οι διαφορές στην τιμή των DDR3 - DDR4]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture59949.png[/img_alt] [img_alt=Εξαλείφονται οι διαφορές στην τιμή των DDR3 - DDR4]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture59948.png[/img_alt] [img_alt=Εξαλείφονται οι διαφορές στην τιμή των DDR3 - DDR4]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture59944.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Intel ίσως ετοιμάζει SSD χωρητικότητας 10TB]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Οι νέες τεχνολογίες που αναπτύσσει σε συνεργασία με την Micron ενδέχεται να οδηγήσουν τον κολοσσό σε νέες αποκαλύψεις στον χώρο των SSD. Συγκεκριμένα αναφέρεται πως ανά chip η χωρητικότητα που ετοιμάζουν από κοινού, Intel και Micron θα φτάσει τα 3.5TB ανά chip ενώ drives των 2.5 ιντσών θα προσφέρουν αποθηκευτικό χώρο που θα αγγίζει το δυσνόητο ποσό των 10TB. Η σχεδίαση των NAND δεν είναι πρωτότυπη μιας και αρκετοί αναγνωρισμένοι κατασκευαστές την έχουν χρησιμοποιήσει εδώ και καιρό, όμως οι Intel - Micron θέλουν να το "κάνουν ακόμα καλύτερα". Οι μνήμες θα ονομάζονται 3D Xpoint και το portfolio που ετοιμάζεται από αυτή τη συνεργασία θα είναι SSD σε διάφορα form factor ενώ οι μνήμες τους χαρακτηρίζονται ως 10 φορές πιο "πυκνές" από τις DRAM και 1000 φορές πιο γρήγορες και ισχυρές απ' ότι οι τωρινές Flash μνήμες. http://www.hwbox.gr/news-ssd/42335-i-intel-mas-deixnei-tis-epidoseis-ton-3d-xpoint-ssd.html?highlight=xpointhttp://www.hwbox.gr/news-ssd/43074-leitourgika-3d-xpoint-chips-sintoma-simfona-me-anafores.html?highlight=xpoint http://www.hwbox.gr/news-ssd/41792-leptomereies-gia-tous-protous-3d-xpoint-ssds-tis-intel.html?highlight=xpoint http://www.hwbox.gr/news-ssd/41689-se-anaptiksi-ssds-me-mnimes-3d-xpoint-apo-tin-intel.html?highlight=xpoint http://www.hwbox.gr/news-ram/41567-intel-kai-micron-deixnoun-ton-dromo-gia-taxiteres-non-volatile-mnimes.html?highlight=xpoint [img_alt=Η Intel ίσως ετοιμάζει SSD χωρητικότητας 10TB]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture59491.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Οι GDDR5X της Micron περνούν τη δοκιμαστική φάση]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Η Micron έχει ήδη στη κατοχή της λειτουργικά δείγματα της παραπάνω τεχνολογίας και η μαζική παραγωγή θα κορυφωθεί το καλοκαίρι. Η Micron μοιράζεται μαζί μας πως έχει ολοκληρώσει με επιτυχία την ανάπτυξη των πρώτων GDDR5X μνημών με ταχύτητες που φτάνουν έως και τα 13Gbps και οδεύουν προς τη μαζική παραγωγή τους μέχρι το καλοκαίρι, αρκετά νωρίτερα απ' ότι αρχικά είχε αναφερθεί. Επόμενος στόχος της Micron, είναι να φτάσει τα 14Gbps σε μελλοντικό revision μιας και ήδη μας έχει εκφράσει τις βλέψεις της για έως και 16Gbps. Επισημαίνεται πως οι συνεργάτες της με πρώτη και κύρια την NVIDIA θα λάβουν τις πρώτες μνήμες τον Απρίλιο ενώ η μαζική παραγωγή τους θα ξεκινήσει μέσα στο καλοκαίρι. Εκτός από τις βελτιωμένες επιδόσεις, οι απαιτήσεις σε τάση παραμένουν ίδιες με την Micron να μεταφέρει πως έχει κάνει διάφορες βελτιώσεις που σχετίζονται με τη μεταφορά σήματος για μεγαλύτερη αξιοπιστία. [img_alt=Οι GDDR5X της Micron περνούν τη δοκιμαστική φάση]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture59065.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Τον Απρίλιο φημολογείται η νέα Titan της NVIDIA]http://www.hwbox.gr/images/news_images/nvidia2.jpg[/NEWS_IMG] Νέες πληροφορίες αναφέρονται στην "επόμενη" μεγάλη υλοποίηση της NVIDIA που θα κατασκευάζεται με βάση την αρχιτεκτονική Pascal. Συγκεκριμένα το ενδεχόμενο μια νέας "Titan" αρχιτεκτονικής Pascal τον ερχόμενο Απρίλιο είναι αρκετά μεγάλο όπως δηλώνουν νέες φήμες. Η νέα Titan θα είναι ίσως η μόνη κάρτα του πράσινου στρατοπέδου που θα εξοπλίζεται με μνήμη HBM με κορυφαίο highlight, τον νέο πυρήνα GP100 κατασκευασμένο στα 16nm FinFET της TSMC. Στη συνέχεια και μέχρι το καλοκαίρι του 2016, λέγεται πως η NVIDIA θα κυκλοφορήσει και τις υπόλοιπες κάρτες, σταδιακά, με τον πυρήνα GP104 να ακολουθεί σε δύο παραλλαγές, πιθανότατα τις "GTX 1080" και "GTX 1070" (η ονοματολογία δίνεται με βάση τα σημερινά δεδομένα). Αυτές οι δύο κάρτες θα εξοπλίζονται με νέες μνήμες GDDR5X, ένας νέος τύπος που θα αντικαταστήσει στην ουσία τις τωρινές GDDR5. Ο πυρήνας GP104 αναμένεται να έχει τις παρόμοιες επιδόσεις με την τωρινή 980 Ti, όμως θα έρχεται με σημαντικά μειωμένο TDP. [img_alt=Τον Απρίλιο φημολογείται η νέα Titan της NVIDIA]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture58464.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Και το GDDR5X Standard δημοσίευσε η JEDEC]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general5.jpg[/NEWS_IMG] Λεπτομέρειες για μια ακόμα σημαντική τεχνολογία που θα μας απασχολήσει καθ' όλη τη διάρκεια του έτους. Οι HBM δεύτερης γενιάς aka HBM 2.0 ή Μνήμες Υψηλής Διαμεταγωγής Δεδομένων βρίσκονται προ των πυλών, και ήδη κατασκευαστές όπως η Samsung έχουν ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή αντίστοιχων chip που θα εφαρμόζονται σε πολλούς τομείς της σύγχρονης τεχνολογίας. Η JEDEC association δημοσίευσε και επίσημα τα χαρακτηριστικά των GDDR5X, του νέου standard που θα αντικαταστήσει τις σημερινές GDDR5. Οι GDDR5X έχουν αρκετά παρόμοια αρχιτεκτονική με τις GDDR5 με τη κυριότερη διαφορά να εντοπίζεται στο διπλό pre-fetch δεδομένων ανά πρόσβαση στη μνήμη. Συγκεκριμένα από 8-bit μετατρέπεται σε 16-bit δίνοντας θεωρητικά το διπλάσιο bandwdith κάτι που θέλουμε πολύ να το δούμε και στη πράξη. Σημαντικό πλεονέκτημα είναι πως αφού η αρχιτεκτονική παραμένει ίδια, κάνει την τεχνολογία ιδιαίτερα "εύκολη" στην υλοποίηση από όσους τη χρησιμοποιήσουν. Πρώτοι έρχονται οι κατασκευαστές καρτών γραφικών, με τις AMD και NVIDIA να χρησιμοποιούν GDDR5X μνήμες στα mainstream μοντέλα τους. Η ιδέα ανήκει στην Micron η οποία αναπτύσσει εδώ και καιρό την τεχνολογία καθώς θεωρεί πως το bandwdith είναι ένας αρκετά κρίσιμος παράγοντας για τις επιδόσεις οποιουδήποτε υποσυστήματος. [img_alt=Και το GDDR5X Standard δημοσίευσε η JEDEC]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture58286.png[/img_alt] [img_alt=Και το GDDR5X Standard δημοσίευσε η JEDEC]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture58287.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Λειτουργικά 3D XPoint chip σύντομα σύμφωνα με αναφορές]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Engineering samples των επερχόμενων 3D XPoint μνημών των Intel και Micron θα μπουν σύντομα στη παραγωγή. Η είδηση είναι αρκετά σημαντική μιας και η τεχνολογία θα ανοίξει νέους δρόμους τόσο από πλευράς χωρητικότητας και form factor, όσο και ταχυτήτων. Μετά την εμφάνιση ενός δείγματος NVDIMM χωρητικότητας 512GB, από την Αντιπρόεδρο και Γενικό Διευθυντή του Storage Group της Intel, Beth Crair, έρχεται και η δήλωση του CEO της IM Flash, της εταιρίας που δημιούργησε η κοινοπραξία Intel-Micron ο οποίος επιβεβαίωσε τα παραπάνω λέγοντας πως τελειοποιούνται ορισμένα χαρακτηριστικά τους. Επιπλέον, ανέφερε πως χρησιμοποιούνται πάνω από 100 νέα υλικά για την κατασκευή των εν λόγω chip ενώ πρόσθεσε πως μπορεί να χρειαστεί να περιμένουμε από 12 έως 18 μήνες μέχρι να μπουν σε μαζική παραγωγή κυρίως λόγω της πολύπλοκης διαδικασίας που απαιτείται. Οι πρώτοι SSD που θα βασίζονται στη νέα τεχνολογία ονομάζονται Optane και έχουμε ήδη αναφέρει ορισμένα από τα βασικότερα στοιχεία τους, όπως τον υψηλό αριθμό IOPs και το χαμηλό latency. Παράλληλα, τα NVDIMM επιτρέπουν την εγκατάσταση ενός τέτοιου γρήγορου SSD στη DDR4 υποδοχή της μητρικής για την άμεση σύνδεσή της με τον κεντρικό επεξεργαστή. [img_alt=Λειτουργικά 3D XPoint chip σύντομα σύμφωνα με αναφορές]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture58145.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=GDDR6: Η απάντηση της Micron στις μνήμες τύπου HBM]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Η Micron αναπτύσσει τον νέο τύπο μνήμης που αναμένεται να είναι έως και δύο φορές ταχύτερος απ' ότι οι τωρινές GDDR5. Η εμφάνιση των μνημών τύπου HBM με την Radeon R9 Fury X της AMD έχει ωθήσει τις εταιρείες σε ένα συνεχές κυνήγι των επιδόσεων με την Micron να είναι μια από αυτές και ελπίζει πως θα φτάσει στα επίπεδα των HBM πρώτης γενιάς σχετικά σύντομα. Ο τύπος μνήμης GDDR6 είναι όμοιος με τον GDDR5X και η Micron απλά επιτάχυνε την ανάπτυξή τους όπως λέγεται και θα ολοκληρωθεί κάποια στιγμή μέσα στο 2016. Ήδη έχει αναφερθεί πως ο νέος τύπος θα βρίσκεται σε mainstream και low end υλοποιήσεις της NVIDIA με την έλευση της αρχιτεκτονικής Pascal στα 16nm. Οι νέες μνήμες θα έχουν bandwidth έως 14Gb/s, αρκετά ψηλότερα απ' ότι τα σημερινά 8Gb/s των GDDR5 με βλέψεις για περαιτέρω βελτίωση μέσα στον χρόνο. Αν και σίγουρα, οι HBM 2.0 δεν φαίνεται να απειλούνται σύντομα, η κίνηση προκαλεί το ενδιαφέρον μιας και θα δούμε ακόμα και low end κάρτες γραφικών με αρκετά γρήγορες μνήμες κάτι που θα αυξήσει σημαντικά τις επιδόσεις τους. [img_alt=GDDR6: Η απάντηση της Micron στις μνήμες τύπου HBM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture56683.png[/img_alt] [img_alt=GDDR6: Η απάντηση της Micron στις μνήμες τύπου HBM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture51689.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=BX200: Νέος budget SSD από την Crucial]http://www.hwbox.gr/images/news_images/crucial.jpg[/NEWS_IMG] Ο BX200 τοποθετείται στη budget κατηγορία SSD της Crucial και απευθύνεται για χρήστες που έχουν βασικές απαιτήσεις. Το drive της Crucial βασίζεται σε NAND Flash της Micron τύπου TLC στα 16nm οι οποίες μιλούν με τον ελεγκτή της Silicon Motion SM2256. Ο παραπάνω συνδυασμός, καταφέρνει 540MB/s σε ανάγνωση και 490 MB/s σε κατάσταση εγγραφής. Αντίστοιχα, βλέπουμε τα random reads και writes να αγγίζουν και τα 66k, 78k IOPS που υποδηλώνουν τις βασικές επιδόσεις για τη κατηγορία. Η εταιρία μάλιστα, στοχεύει τους χρήστες οι οποίοι δεν έχουν ακόμη μεταβεί στη νέα τεχνολογία των SSD και θα τον διαθέσει σε χωρητικότητες 240GB, 480GB και 960GB για τους περισσότερο απαιτητικούς. Οι προτεινόμενες τιμές τους ανέρχονται σε £66.99, £116.99 και £234.99 για τα τρία μοντέλα αντίστοιχα με τη διαθεσιμότητα να ξεκινά άμεσα. Τέλος, συνοδεύονται από εγγύηση 3 ετών. [img_alt=BX200: Νέος budget SSD από την Crucial]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54665.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Micron και Intel συνεργάζονται για τη δημιουργία νέων SSD με τη τεχνολογία 3D XPoint. Ο CEO της Intel, Brian Krzanich ανέφερε μερικές χρήσιμες πληροφορίες σχετικά με τα form factors και τις επιδόσεις των νέων SSD στο OpenWorld Conference στο οποίο συμμετείχε και η Oracle. Η τεχνολογία 3D XPoint που αναπτύσσει σε συνεργασία με την Micron θα βρίσκεται στους νέους Optane SSDs που θα κυκλοφορήσουν το 2016, ενώ την ίδια χρονική περίοδο θα δούμε και τα πρώτα Optane DIMMs. Τα τελευταία θα τοποθετούνται σε κάποια ελεύθερη DDR4 υποδοχή για μειωμένο latency και θα προορίζονται κυρίως για χρήση σε enterprise περιβάλλοντα, δίπλα σε Xeon επεξεργαστές. Τα πρώτα δείγματα θα διατεθούν φέτος στους testers, ενώ σκοπός της Intel είναι να συνδυάσει το bandwidth των RAM με την χωρητικότητα των NAND σε ένα package. Η Intel στα test, τοποθέτησε τον επερχόμενο Optane SSD ενάντια στον P3700 NAND flash SSD με τις βελτιώσεις στην ταχύτητα να παρουσιάζονται σε κάθε μια από τις εικόνες που ακολουθούν. [img_alt=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54463.png[/img_alt] [img_alt=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54462.png[/img_alt] [img_alt=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54461.png[/img_alt] [img_alt=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54460.png[/img_alt] [img_alt=Η Intel δείχνει τις επιδόσεις των 3D XPoint SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54459.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Western Digital: Εξαγοράζει τη SanDisk έναντι $19 δις]http://www.hwbox.gr/images/news_images/wd2.jpg[/NEWS_IMG] Η WD θα πληρώσει σε μετρητά και μετοχές όπως συμφωνήθηκε και από τις δύο πλευρές. Ο Steve Milligan της Western Digital θα παραμείνει στη θέση του ως διευθύνων σύμβουλος, ενώ ο CEO της SanDisk Sanjay Mehrotra, θα μεταβεί στο συμβούλιο των μετόχων. Η τιμή εξαγοράς της SanDisk ανέρχεται $86.50 ανά μετοχή, περίπου 12% πάνω από την τιμή που είχε με το κλείσιμο του χρηματιστηρίου την αμέσως προηγούμενη ημέρα. Η SanDisk έψαχνε το τελευταίο διάστημα για αγοραστή, και η Micron ήταν μέσα σ' αυτούς που συζητούνταν. Η εξαγορά, τοποθετεί την Western Digital σε πλεονεκτική θέση στην αγορά των SSD, "αντιγράφοντας" θα μπορούσαμε να πούμε την κίνηση της Seagate, η οποία στράφηκε προ λίγων μηνών προς την LSI τον περασμένο χρόνο. [img_alt=Western Digital: Εξαγοράζει τη SanDisk έναντι $19 δις]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture54261.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Φήμη: Οι low end Pascal GPUs της NVIDIA θα φέρουν GDDR5X μνήμες]http://www.hwbox.gr/images/news_images/nvidia2.jpg[/NEWS_IMG] Όπως είδαμε, οι επερχόμενες μνήμες της Micron αναμένεται να βρεθούν στις μικρότερες υλοποιήσεις της Pascal αρχιτεκτονικής που ετοιμάζει η NVIDIA. Με βάση ορισμένες φήμες που κυκλοφορούν το τελευταίο διάστημα, γίνεται γνωστό ότι ορισμένες από τις επερχόμενες Pascal κάρτες γραφικών που θα λανσάρει η NVIDIA στην αγορά το επόμενο έτος θα εφοδιάζονται με τις νέες μνήμες GDDR5X. Τα high end μοντέλα από την άλλη, θα χρησιμοποιούν τις ακόμη ταχύτερες HBM 2 με διπλάσιες τουλάχιστον χωρητικότητες από τα τωρινά μοντέλα. Οι GDDR5X έχουν αρκετές ομοιότητες με τις υπάρχουσες GDDR5 όμως υπόσχονται διπλασιασμό της πυκνότητας και παράλληλα αύξηση της ταχύτητας έως και τα 12Gbps στα πρώτα δείγματα, ευελπιστώντας να αγγίξει και τα 14Gbps σε μελλοντικές εκδόσεις. Συγκρινόμενες βέβαια με τις HBM 2, οι GDDR5X υστερούν σε πολλούς τομείς όπως αυτός της κατανάλωσης αλλά και του χώρου που απαιτεί από την πλακέτα της κάρτας γραφικών. [img_alt=Φήμη: Οι low end Pascal GPUs της NVIDIA θα φέρουν GDDR5X μνήμες]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture53940.png[/img_alt] [img_alt=Φήμη: Οι low end Pascal GPUs της NVIDIA θα φέρουν GDDR5X μνήμες]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture51689.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=SanDisk & HP ετοιμάζουν non-volatile μνήμες νέας τεχνολογίας]http://www.hwbox.gr/images/news_images/sandisk.jpg[/NEWS_IMG] Σύμφωνα με τις λίγες πληροφορίες που υπάρχουν προς το παρόν, οι δύο εταιρίες ετοιμάζουν νέες μνήμες με την ονομασία Storage Class Memory. Η εν λόγω τεχνολογία θα κλιθεί να αντιμετωπίσει τις προτάσεις των Intel - Micron και θα βασίζεται στο ίδιο σκεπτικό με την 3D XPoint των δύο προαναφερθέντων πληροφοριών και υπόσχεται έως και 1000 φορές υψηλότερες ταχύτητες από τις σημερινές τεχνολογίες αποθήκευσης. Οι HP - SanDisk αναφέρουν επίσης βελτιώσεις στη πυκνότητα, στη κατανάλωση ενώ θα είναι σημαντικά φθηνότερες σε σχέση με τις "παραδοσιακές" DRAM. Ο σκοπός, είναι οι Storage Class Memory να εμφανιστούν στο διάστημα μεταξύ του 2018 και του 2020, ενώ η αντίστοιχη τεχνολογία 3D XPoint θα βρεθεί στην αγορά το 2016 όπως δήλωσε η Intel. [img_alt=SanDisk & HP ετοιμάζουν non-volatile μνήμες νέας τεχνολογίας]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture53913.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Σε ανάπτυξη SSDs με μνήμες 3D Xpoint από την Intel]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Η Intel ετοιμάζει μια νέα στρατιά από SSDs οι οποίοι θα βασίζονται στη νέα τεχνολογία 3D Xpoint που έχει αναπτύξει σε συνεργασία με την Micron. Η εν λόγω τεχνολογία θα ωθήσει τα IOPS περίπου 5.5 φορές πιο πάνω από τι τα σημερινά drives (σαν παράδειγμα η εταιρεία διαλέγει τον DC P3700) και ήδη γνωρίζουμε την ονομασία του, όπως αποκαλύφθηκε στα πλαίσια του Intel Developer Forum. Ο Intel Optane θα κατασκευάζεται σε όλα τα γνωστά και σύγχρονα form factors όπως M.2/NGFF, SATA-Express, PCI-Express σαν κάρτα επέκτασης και φυσικά θα υποστηρίζει το νέο πρωτόκολλο επικοινωνίας NVMe, που μιλάει πιο άμεσα με τον ελεγκτή σε αντίθεση με το παλιό AHCI το οποίο είχε κατασκευαστεί με βάση τους σκληρούς δίσκους. Επιπλέον, όπως γνωρίζετε και από το προηγούμενο άρθρο μας, η τεχνολογία 3D Xpoint σχεδιάστηκε με την πολύτιμη βοήθεια και της Micron κάτι που σημαίνει πως διαθέτει ίσα δικαιώματα χρήσης και σε δικά τα drives, που σημαίνει ότι μαζί με τον Optane θα δούμε και drives από την Micron αλλά και την Crucial στο άμεσο μέλλον. [img_alt=Σε ανάπτυξη SSDs με μνήμες 3D Xpoint από την Intel]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture51143.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Intel και Micron δείχνουν τον δρόμο για ταχύτερες non-volatile μνήμες]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Έναν νέο τύπο μνήμης που είναι κατά πολλές φορές ταχύτερος απ' όσα έχουμε δει τα τελευταία χρόνια. Οι δύο εταιρείες Intel και Micron προχώρησαν στη παραγωγή μιας νέας τεχνολογίας μνήμη η οποία χρησιμοποιεί την τεχνολογία 3D XPoint για ταχύτητες 1000 φορές υψηλότερες από τις σημερινές NAND. Αυτό το κατάφεραν και χάρη σε μια νέα ένωση υλικών που εφηύραν και η τεχνολογία είναι 10 φορές πυκνότερη απ' ότι στις συμβατικές τεχνολογίες μνημών ενώ την ίδια στιγμή θεωρείται μια από τις μεγαλύτερες ανακαλύψεις στον χώρο των μνημών από την NAND, δηλαδή από το 1989. Η εν λόγω μνήμη μπορεί να αποθηκεύσει 128Gb δεδομένων (το ένα die όπως της εικόνας) και έχει stackable χαρακτήρα, ενώ μπορεί να τοποθετηθεί σε όλες τις συσκευές της αγοράς, βοηθώντας περισσότερο, όσες συσκευές μεταφέρουν πολλές δεκάδες GB ανά δευτερόλεπτο, διατηρώντας παράλληλα χαμηλό latency, ενώ το γεγονός ότι είναι non-volatile, σημαίνει ότι μπορούν να διατηρήσουν τα δεδομένα τους ακόμη και μετά από πλήρες shutdown. [img_alt=Intel και Micron δείχνουν τον δρόμο για ταχύτερες non-volatile μνήμες]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture50379.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Micron πλησιάζει την Samsung στην αγορά DRAM]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Όπως ανακοίνωσε η εταιρία, η ψαλίδα μεταξύ αυτής και της Samsung θα κλείσει περισσότερο με την είσοδο DRAM στα 16nm. Η Samsung Electronics από τον Μάρτιο του 2014 κατασκευάζει DRAM χρησιμοποιώντας τη λιθογραφία των 20nm και έκτοτε κάνει μαζική παραγωγή των chip. Από την άλλη, η Micron, ξεκίνησε την δοκιμαστική παραγωγή 20nm DRAM προς το τέλος του 2014 και μόλις πρόσφατα ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή και κατά συνέπεια αποστολή τους στην αγορά και η πλειοψηφία που υπάρχει εκεί έξω είναι στα 25nm και τα 30nm όσον αφορά πάντα τα Micron chips. Με την Samsung να βρίσκεται ξεκάθαρα μπροστά στη λιθογραφία των 20nm, η Micron ευελπιστεί να φτάσει τη πρώτη, στο αγώνα για DRAM στα 16nm, κάτι που θα το δούμε μέσα στο 2016 σύμφωνα με τα όσα είπε ο πρόεδρος της Micron, Mark Adams. [img_alt=Η Micron πλησιάζει την Samsung στην αγορά DRAM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture49050.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=SSDs στα 10TB θα γίνουν πράξη από τις Micron/Intel]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Οι δύο εταιρείες συνεργάζονται σε μια νέα τεχνολογία 3D NAND που θα αλλάξει τα δεδομένα στον χώρο της αποθήκευσης. Το "next big thing" στον χώρο της αποθήκευσης αναμένεται από τις Micron και Intel καθώς οι δύο εταιρείες ανέπτυξαν μια τεχνολογία η βασίζεται στο stacking των Flash Chips, ενώ έχουν μεγαλύτερο όγκο σε σχέση με τα τωρινά. Αυτή η τεχνική επιτρέπει στους SSDs να φέρουν αρκετό αποθηκευτικό χώρο ο οποίος λέγεται πως θα ξεπεράσει τα 3.5TB, ενώ ακόμα και τα 10TB που εμφανίζονται τώρα σε συγκεκριμένους HDDs, δεν είναι άπιαστο όνειρο. Ο VP of Memory Technology and Solutions της Micron, Brian Shirley, δήλωσε ότι αυτή η 3D NAND τεχνολογία θα δημιουργήσει τις βάσεις που χρειάζονται για να μεταβάλλουν την υπάρχουσα αγορά των Flash, αφού το κόστος θα είναι χαμηλότερο, ενώ το efficiency θα αυξηθεί. Οι πρώτες συσκευές θα έρθουν στην αγορά το δεύτερο μισό του 2015 και αφορούν κυρίως M.2 PCIe και 2.5-inch SATA drives. [img_alt=SSDs στα 10TB θα γίνουν πράξη από τις Micron/Intel]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture43760.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=DRAM στα 20nm προς το δεύτερο μισό υπόσχεται η SK Hynix]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general5.jpg[/NEWS_IMG] Ο κολοσσός υπόσχεται πως θα λύσει το πρόβλημα της διαθεσιμότητας για την high end αγορά δημιουργώντας μνήμες μικρότερης επιφάνειας και χαμηλότερου κόστους. Συγκεκριμένα, σε ένα wafer των 300mm, η SK Hynix θα μπορεί να "στριμώξει" έως και 30% περισσότερα ICs από πριν, οδηγώντας σε μεγαλύτερη παραγωγή και ταυτόχρονα χαμηλότερες τιμές από την προηγούμενη τεχνολογία των 25nm. Μερικοί πιστεύουν χρησιμοποιώντας την κοινή λογική, ότι η μετάβαση στα 20nm θα οδηγήσει και σε μεγαλύτερη πυκνότητα που θα αγγίξει και τα 8Gb, κάτι που χρειάζονται οι enthusiasts σε DDR4 πλατφόρμες. Όμως παρόλο που η αρχιτεκτονική αυτή βρίσκεται προ των πυλών, η SK Hynix θα συνεχίσει να παράγει DRAM στα 25nm, καθώς η εταιρεία το Q3 και το Q4 του 2014 είδε αυξημένα κέρδη λόγω των υψηλών yields. Επιπρόσθετα, στην αντίπερα όχθη, η πρώτη εταιρεία σε πωλήσεις DRAM Samsung, έχει ήδη ξεκινήσει την παραγωγή σχετικών μνημών από το Q4 του περασμένου έτους, ενώ η Micron που βρίσκεται στην τρίτη θέση παγκοσμίως, έχει ξεκινήσει τις πρώτες δοκιμές στα 20nm από το ίδιο τρίμηνο. [img_alt=DRAM στα 20nm προς το δεύτερο μισό υπόσχεται η SK Hynix]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture43470.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Νέο εργοστάσιο σχεδιάζει η Micron για παραγωγή NAND Flash]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Τη Δευτέρα ξεκίνησε η επέκταση του Fab 10N στη Σιγκαπούρη, με το νέο κομμάτι να προσφέρεται για κατασκευή NAND Flash. Το νέο εργοστάσιο θα κοστίσει περίπου $4 δις και η παραγωγή θα ξεκινήσει στο δημοσιονομικό έτος του 2017. Το εργοστάσιο θα παράξει κατά κύριο λόγο 3D NAND flash μνήμες οι οποίες θα σχεδιάζονται σε συνεργασία με την Intel, αλλά και άλλους τύπους. Το νέο Fab 10X λέγεται ότι θα μπορεί να παράγει 140 χιλιάδες 3D NAND wafers των 300mm το μήνα, αριθμός αρκετά μεγάλος και αναμένεται να χρησιμοποιηθούν σε πλήθος προϊόντων αποθήκευσης. [img_alt=Νέο εργοστάσιο σχεδιάζει η Micron για παραγωγή NAND Flash]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture42140.png[/img_alt] [img_alt=Νέο εργοστάσιο σχεδιάζει η Micron για παραγωγή NAND Flash]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture42141.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Συμφωνία Micron-Seagate για Hybrid μέσα αποθήκευσης]http://www.hwbox.gr/images/news_images/seagate.jpg[/NEWS_IMG] Οι δύο εταιρείες θα ενώσουν τις δυνάμεις τους για να φτιάξουν νέες συσκευές αποθήκευσης. Η Seagate, εταιρεία γνωστή στην κατασκευή μηχανικών δίσκων συνεργάζεται με την Micron στην κατασκευή υβριδικών SAS SSDs. Το δελτίο τύπου μιλά για enterprise δίσκους με Micron NAND flash μνήμες που θα βρίσκονται στα επερχόμενα μοντέλα της Seagate με τον Phil Brace, executive vice president of electronics της Seagate να αναφέρει πως η συγκεκριμένη συμφωνία θα δώσει στην Seagate πρόσβαση σε NAND flash μνήμες και προκαλεί τις απαραίτητες ζυμώσεις για την μετέπειτα συνεργασία των δύο σε προϊόντα και τεχνολογίες. Αξίζει να σημειωθεί πως η Micron ετοιμάζει 3D NAND μνήμες για το δεύτερο μισό του έτους. [img_alt=Συμφωνία Micron-Seagate για Hybrid μέσα αποθήκευσης]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture41626.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Micron: Ξεκίνησε η δειγματοληψία 8Gb μνημών για 8GB GPUs]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Προ των πυλών οι κάρτες γραφικών με 8GB RAM. Ο πρόεδρος της Micron, Mark Adams δήλωσε κατά τη διάρκεια μιας συνεδρίασης επενδυτών και αναλυτών: "Έχουμε κάνει πολύ καλή πρόοδο στα 8Gb GDDR5 modules μας και ήδη έχουμε ξεκινήσει να στέλνουμε δείγματα σε δύο από τους μεγαλύτερους συνεργάτες μας". Νωρίτερα μέσα στον μήνα, η Samsung αποκάλυψε κάτι σχετικό, πως ετοιμάζει παρόμοιας τεχνολογίας GDDR5 μνήμες για το πρώτο τρίμηνο του 2015, οπότε η Micron είναι η δεύτερη εταιρεία που ξεκίνησε την αποστολή δειγμάτων. Με δεδομένη την απήχηση που έχουν οι GDDR5 μνήμες, μερικές συσκευές που θα επωφεληθούν από τις νέες 8 Gigabit μνήμες είναι η Sony με το PlayStation 4 που για την ώρα χρησιμοποιεί 16*512 MB 4Gb chips, ενώ με ένα πιο απλοποιημένο PCB θα μπορέσει να ρίξει το κόστος σε πολύ χαμηλότερα επίπεδα. Φυσικά το ίδιο ισχύει και για τις κάρτες γραφικών ως ένα βαθμό. [img_alt=Micron: Ξεκίνησε η δειγματοληψία 8Gb μνημών για 8GB GPUs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture39931.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Intel ετοιμάζει SSD με τεχνολογία 3D NAND για το 2015]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel2.jpg[/NEWS_IMG] Σε νέα χωράφια μπαίνει η Intel καθώς σκοπεύει να λανσάρει SSDs με 3D NAND Flash chips. Η Intel λέγεται σύμφωνα με το Techspot ότι προετοιμάζει με τη βοήθεια της Micron, νέες NAND Flash μνήμες, με 32 επίπεδα στρώματα που προσφέρουν 256Gb (32GB) αποθηκευτικού χώρου σε ένα MLC die, ενώ με τη βοήθεια της τεχνολογίας οι αριθμοί θα αυξηθούν σε 385Gb (48GB) όπως επισημαίνει το The Tech Report. Και ούτε αυτό είναι αρκετό σας έχουμε και καλύτερο! Ο Rob Crooke, vice president της Intel τόνισε πως η εν λόγω τεχνολογία θα δώσει την ευκαιρία στην εταιρεία να κατασκευάσει SSDs με χωρητικότητα 10TB μέσα στα επόμενα δύο χρόνια. [img_alt=Η Intel ετοιμάζει SSD με τεχνολογία 3D NAND για το 2015]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37157.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Micron επιδεικνύει τις μνήμες HMC στο SC14]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Η γνωστή κατασκευάστρια DRAM Micron μας δίνει περισσότερες πληροφορίες για τις HMC μνήμες της που θα εφαρμοστούν στα προϊόντα μας μέχρι το 2017. Η Micron ανακοίνωσε στο Supercomputing 2014 την τελειοποίηση και την διάθεση του HMCC 2.0 specification, όσον αφορά τις stacked μνήμες HMC (Hybrid Memory Cube). Οι εν λόγω μνήμες αποτελούν προϊόν συνεργασίας περίπου 150 εταιρειών μελών του HMCC (Hybrid Memory Cube Consortium) ανάμεσά τους η Samsung, Altera και η Open-Silicon. Η τεχνολογία της Micron είναι σχεδόν 15% ταχύτερη όσον αφορά τις επιδόσεις από τις τωρινές τεχνολογίες μνημών DRAM, καταλαμβάνουν 90% λιγότερο χώρο και καταναλώνουν 70% λιγότερη ενέργεια οπότε και η απήχησή τους ήταν αναμενόμενη. Το τελευταίο specification που "κλείδωσε" ουσιαστικά στο συνέδριο SC14, αυξάνει την ταχύτητα από τα 15Gb/s στα 30Gb/s και το επόμενο βήμα είναι η πλήρης ενσωμάτωση των μνημών μέσα στο die του επεξεργαστή για ακόμη μεγαλύτερες ταχύτητες και αυξημένη χωρητικότητα. Φανταστείτε το σαν μια L2 cache με 100 φορές περισσότερη χωρητικότητα από τις τωρινές λύσεις! Οι πρώτες συσκευές που θα γευτούν να πλεονεκτήματα της εν λόγω τεχνολογίας θα είναι servers και workstation συστήματα όπως οι Knights Hill συνεπεξεργαστές της Intel κάπου μέσα στο 2017! [img_alt=Η Micron επιδεικνύει τις μνήμες HMC στο SC14]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37085.jpg[/img_alt] [img_alt=Η Micron επιδεικνύει τις μνήμες HMC στο SC14]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37086.jpg[/img_alt] [img_alt=Η Micron επιδεικνύει τις μνήμες HMC στο SC14]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37087.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Intel Xeon Phi ʽKnights Hillʼ στα 10nm το 2017]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel2.jpg[/NEWS_IMG] Οι συζητήσεις για την λιθογραφία των 10nm ξεκινούν με τα πρώτα στοιχεία να επισημαίνουν τον συνεπεξεργαστή "Knights Hill". Ο νέος συνεπεξεργαστής 3ης γενιάς της Intel με την ονομασία Knights Hill θα έρθει στην αγορά κάπου μέσα στο 2017. Η NVIDIA πρόσφατα παρουσίασε την δική της πρόταση στον χώρο του high performance computing που ακούει στο όνομα Tesla K80 και λίγες μέρες μετά μας έρχονται τα πρώτα νέα για την πρόταση Intel η οποία θα αντικαταστήσει τον Knights Landing των 14nm το 2017 και θα ωφελήσει τις μεγάλες επιχειρήσεις και τα data centers. Ο Xeon Phi Knights Hill συνεπεξεργαστής αναμένεται να έχει περισσότερα από 16GB Hybrid Memory Cube μνήμης -σε συνεργασία με την Micron- από τον τωρινό και βελτιωμένη αρχιτεκτονική Omni-Path. Η ισχύ σε επίπεδο computing αναμένεται σύμφωνα με το WCCFTech να αγγίξει τα 5 TFLOPS ενώ οι αντίπαλες εταιρείες θα παρουσιάσουν αντίστοιχες προτάσεις στο μακρινό 2017. [img_alt=Intel Xeon Phi ʽKnights Hillʼ στα 10nm το 2017]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37053.jpg[/img_alt] [img_alt=Intel Xeon Phi ʽKnights Hillʼ στα 10nm το 2017]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37052.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...