Search the Community
Showing results for tags 'nand flash'.
-
[NEWS_IMG=SSDs στα 10TB θα γίνουν πράξη από τις Micron/Intel]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Οι δύο εταιρείες συνεργάζονται σε μια νέα τεχνολογία 3D NAND που θα αλλάξει τα δεδομένα στον χώρο της αποθήκευσης. Το "next big thing" στον χώρο της αποθήκευσης αναμένεται από τις Micron και Intel καθώς οι δύο εταιρείες ανέπτυξαν μια τεχνολογία η βασίζεται στο stacking των Flash Chips, ενώ έχουν μεγαλύτερο όγκο σε σχέση με τα τωρινά. Αυτή η τεχνική επιτρέπει στους SSDs να φέρουν αρκετό αποθηκευτικό χώρο ο οποίος λέγεται πως θα ξεπεράσει τα 3.5TB, ενώ ακόμα και τα 10TB που εμφανίζονται τώρα σε συγκεκριμένους HDDs, δεν είναι άπιαστο όνειρο. Ο VP of Memory Technology and Solutions της Micron, Brian Shirley, δήλωσε ότι αυτή η 3D NAND τεχνολογία θα δημιουργήσει τις βάσεις που χρειάζονται για να μεταβάλλουν την υπάρχουσα αγορά των Flash, αφού το κόστος θα είναι χαμηλότερο, ενώ το efficiency θα αυξηθεί. Οι πρώτες συσκευές θα έρθουν στην αγορά το δεύτερο μισό του 2015 και αφορούν κυρίως M.2 PCIe και 2.5-inch SATA drives. [img_alt=SSDs στα 10TB θα γίνουν πράξη από τις Micron/Intel]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture43760.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η OCZ λανσάρει το Intrepid 3700 SSD Drive]http://www.hwbox.gr/images/news_images/ocz2.jpg[/NEWS_IMG] Έναν χρόνο μετά την αποκάλυψη των πρώτων drives της σειράς, η OCZ Storage Solutions αποκαλύπτει ένα ακόμη μοντέλο για την enterprise αγορά. Το Intrepid 3700 κατασκευάζεται με τις πιο πρόσφατες NAND της Toshiba, A19nm 128Gbit eMLC, ενώ έρχεται και σε μια νέα έκδοση με χωρητικότητα 1920GB (1.92TB), ενώ ο χώρος που καταλαμβάνει το over-provisioning μειώθηκε από 28% σε 12% δίνοντας έτσι περισσότερο αξιοποιήσιμο χώρο στο drive. Ο ελεγκτής είναι ο Marvell 88SS9187 με τις ταχύτητες να αυξάνονται λόγω των νέων NAND έως τα 540MB/s για 128KB Sequential Reads και έως 470MB/s για τα 128KB Sequential Writes. Αντίστοιχα, στα 4KB Random Reads ο SSD καταφέρνει 91K IOPS, ενώ σε 4KB Random εγγραφές, οι επιδόσεις του "τερματίζουν" στα 13K IOPS. Η κατανάλωση του drive σε κατάσταση κανονικής λειτουργίας δε ξεπερνά τα 3.4W και φυσικά συνοδεύεται από AES-256 hardware κρυπτογράφηση και end-to-end data path protection. Η OCZ λανσάρει το εν λόγω drive με προτεινόμενη τιμή τα $245 για το μοντέλο των 240GB, ενώ για πιο πολλές πληροφορίες μπορείτε να επισκεφθείτε την επίσημη σελίδα της εταιρείας. [img_alt=Η OCZ λανσάρει το Intrepid 3700 SSD Drive]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture43639.png[/img_alt] [img_alt=Η OCZ λανσάρει το Intrepid 3700 SSD Drive]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture43638.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Οι ePoP μνήμες της Samsung μπαίνουν σε πλήρη παραγωγή]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] LPDDR3 και NAND Flash σε ένα πακέτο! Η Samsung ξεκινά την πλήρη παραγωγή μιας νέα λύσης μνήμης για embedded συσκευές η οποία ενσωματώνει dynamic random access memory 3GB LPDDR3 (DRAM) καθώς και NAND flash 32GB eMMC σε ένα chip δημιουργώντας έτσι ευκαιρίες για την κατασκευή λεπτότερων και φθηνότερων smartphones. Το package εφοδιάζεται φυσικά με τον δικό του ελεγκτή, ενώ είναι εξαιρετικά λεπτό και μπορεί να τοποθετηθεί επάνω στον επεξεργαστή (SoC) χωρίς να πιάνει επιπλέον χώρο. Οι μοντέρνοι επεξεργαστές των smartphones και των tablets, χρειάζονται 225mm2 χώρου. Ένα τυπικό package on package σύστημα που αποτελείται από τον AP (SoC) και την DRAM μαζί με ξεχωριστή eMMC NAND χρειάζεται περίπου 374.5mm2 χώρου. Το ePoP που παρουσιάζει η Samsung μειώνει τον απαιτούμενο χώρο κατά 40%, δηλαδή στα 225mm2 επιτρέποντας στους κατασκευαστές να τοποθετήσουν περισσότερα components, ή μεγαλύτερη μπαταρία στις συσκευές τους. [img_alt=Οι ePoP μνήμες της Samsung μπαίνουν σε πλήρη παραγωγή]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture41009.jpg[/img_alt] [img_alt=Οι ePoP μνήμες της Samsung μπαίνουν σε πλήρη παραγωγή]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture41010.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Ανανεωμένοι Intel server SSDs με NAND στα 20nm]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Δύο νέες σειρές δίσκων SSD με ανανεωμένα χαρακτηριστικά λανσάρει η Intel. Ο λόγος για τους DC S3710 και S3610 Series οι οποίοι φέρουν NAND Flash στα 20nm από 25nm που είχαν οι προκάτοχοί τους. Ο πρώτος βασίζεται στον S3700 που αποκαλύφθηκε το 2012 και μαζί με τις NAND των 25nm, διέθετε proprietary Intel controller στα 6Gbps, ενώ τώρα βλέπουμε μια ανανεωμένη έκδοση αυτού αλλά και αυξημένη χωρητικότητα που από 800GB αγγίζει πλέον τα 1.2TB. Ο S3710 έχει ταχύτητες ανάγνωσης 550MB/s και ταχύτητες εγγραφής 520MB/s με τα IOPS να αγγίζουν τα 85K σε ανάγνωση και τα 45K σε εγγραφή. Συγκριτικά να αναφέρουμε ότι ο S3700 είχε: 500/460 MB/s και 75k/36k. Οι δίσκοι καλύπτονται από εγγύηση 5 ετών και η αντοχή τους μετράται σε 10 drive writes per day που αναλογεί σε 24.3 petabytes για τον "μεγάλο" 1.2TB. Όσον αφορά τις τιμές, ο S3610 θα κοστίζει από $1.05 έως 1.07 ανά GB, ενώ ο flagship S3710 από $1.50 έως 1.59. [img_alt=Ανανεωμένοι Intel server SSDs με NAND στα 20nm]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture40737.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Samsung αυξάνει την παραγωγή DRAM]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Η εταιρεία φαίνεται να παίρνει ρίσκο καθώς αυξάνει την παραγωγή DRAM και NAND Flash. Σύμφωνα με πληροφορίες του KitGuru, το υπό κατασκευή Line-17 fab της Samsung στη Νότια Κορέα θα χρησιμοποιήσει περίπου 60 χιλιάδες wafers των 300mm για την κατασκευή DRAM και NAND Flash μνήμες στα 20nm για τα προϊόντα της αλλά και τους πολυάριθμους συνεργάτες της. Προηγουμένως, γνωρίζαμε πως η εταιρεία θα συμβιβαζόταν με 40 χιλιάδες wafers, όμως η ζήτηση που δημιουργήθηκε στην αγορά την έκανε να ξανασκεφτεί την απόφασή της, αναφέρουν οι DigiTimes. Η παραπάνω ποσότητα δεν αναμένεται να επηρεάσει τρομερά την βιομηχανία, όμως το γεγονός αυτό δείχνει ότι η Samsung παίρνει το ρίσκο και ενδέχεται να δούμε περισσότερες εταιρείες όπως η Nanya και η Inotera να ακολουθούν τη Samsung κατά τη διάρκεια του 2015. Σημειώνεται ότι εταιρείες όπως η Nanya, ανέφεραν αυξημένα έσοδα για το 2014, κυρίως λόγω των αυξημένων τιμών των DRAM. [img_alt=Η Samsung αυξάνει την παραγωγή DRAM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture40686.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Apacer προβλέπει 256GB SSDs με τιμή κάτω από $70]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums497-picture34779.jpg[/NEWS_IMG] Όλα αυτά μέσα στο δεύτερο μισό του 2015. Ο Γενικός Διευθυντής της Apacer Technology είναι αρκετά πεπεισμένος ότι η τιμές των SSD στα 256GB θα πάρουν την κατηφόρα μέσα στο δεύτερο μισό του τρέχοντος έτους και θα πωλούνται κάτω από τα $70. Ο CK Chang σε συνέντευξη που παραχώρησε στους DigiTimes, συμπλήρωσε μάλιστα πως οι δίσκοι των 128GB δε θα κάνουν περισσότερο από $40 καθώς η εν λόγω αγορά αναμένεται να αυξηθεί κατακόρυφα εφόσον οι τιμές των NAND Flash πέσουν ακόμα, αποτελώντας μια (παραπάνω από) καλή εναλλακτική σε σχέση με τους δίσκους που bundl-άρονται συνήθως με laptops και desktops. Κάτι άλλο που θα βοηθήσει στην ταχύτερη επέλαση των δίσκων SSD, είναι και οι νέες λιθογραφικές μέθοδοι των 14nm, 15nm και 16nm που θα ξεκινήσουν κάποια στιγμή από τις μεγάλες κατασκευάστριες του χώρου. [img_alt=Η Apacer προβλέπει 256GB SSDs με τιμή κάτω από $70]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums321-picture40571.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=OCZ Storage Solutions Saber 1000 SSD για Servers/Workstations]http://www.hwbox.gr/images/news_images/ocz2.jpg[/NEWS_IMG] Ο νέος δίσκος της OCZ Storage Solutions υπόσχεται να ικανοποιήσει απαιτητικά περιβάλλοντα με τις επιδόσεις του. Η OCZ ανακοίνωσε τον Saber 1000 δίσκο στερεάς κατάστασης ο οποίος έχει ως στόχο τους system administrators, με μεγάλα workloads αλλά και κάθε απαιτητικό περιβάλλον ενός workstation ή server. Η τεχνογνωσία της OCZ με τον ιδιόκτητο controller Barefoot 3, σε συνεργασία με τις καινοτόμες NAND flash μνήμες των 19nm από την Toshiba βοηθούν στην παραγωγή ενός ακόμη ποιοτικού δίσκου από την εταιρεία. Ο δίσκος θα έρχεται σε χωρητικότητες από 240GB, με ενδιάμεση στάση τα 480GB και θα φτάνει μέχρι τα 960GB. Στα χαρακτηριστικά του, βρίσκουμε την τεχνολογία PFM+ (Power Failure Management Plus) που προστατεύει τα δεδομένα σε περίπτωση πτώσης του ρεύματος αλλά και το StoragePeak 1000 SSD σύστημα διαχείρισης για την παρακολούθηση του SSD. [img_alt=OCZ Storage Solutions Saber 1000 SSD για Servers/Workstations]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37090.jpg[/img_alt] [img_alt=OCZ Storage Solutions Saber 1000 SSD για Servers/Workstations]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture37088.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Και ο "απλός" Samsung 840 έχει θέματα ταχύτητας]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Το PCPerspective γνωστοποιεί πως και ο "απλός" 840 SSD της Samsung έχει προβλήματα με την ταχύτητά του. Το πρόβλημα φαίνεται πως παραδέχτηκε η Samsung Γερμανίας και αναφέρεται στον 840 SSD με τις TLC NAND flash των 21nm. Ως γνωστόν, ο PRO και ο EVO έρχονται με MLC για τον πρώτο και συνδυασμό TLC+SLC για τον δεύτερο. Η εταιρεία αναφέρει πως ήδη έχει ξεκινήσει να δοκιμάζει διάφορους SSDs και εργάζεται στην λύση του προβλήματος το συντομότερο δυνατόν με νέο firmware update. Επιπλέον όσον αφορά το Restoration των EVO SSDs, μερικοί χρήστες είδαν λανθασμένες αναφορές του SMART σχετικά με την θερμοκρασία όπως φαίνεται στην δεύτερη εικόνα. [img_alt=Και ο "απλός" Samsung 840 έχει θέματα ταχύτητας]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture36121.jpg[/img_alt] [img_alt=Και ο "απλός" Samsung 840 έχει θέματα ταχύτητας]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture36131.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=3-bit 3D V-NAND Flash σύντομα λέει η Samsung]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Η Samsung ανακοίνωσε την παραγωγή 3-bit per cell 3D vertical NAND (TLC V-NAND). Οι εν λόγω NAND Flash μνήμες θα ενσωματώνονται σε μερικά νέα προϊόντα της Samsung και το πρώτο που μας έρχεται στο νου είναι ο 850 EVO SSD που φημολογείται τον τελευταίο καιρό. Στο σχετικό δελτίο τύπου που εξέδωσε η εταιρία, λέγεται μεταξύ άλλων, πως η εν λόγω τεχνολογία TLC NAND Flash θα δώσει "μεγάλη ώθηση" στην μετάβαση από τους "παραδοσιακούς", μηχανικούς σκληρούς δίσκους που όλοι μας έχουμε λίγο έως πολύ αντιμετωπίσει, σε SSDs, όσον αφορά το data storage. [img_alt=3-bit 3D V-NAND Flash σύντομα λέει η Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture35067.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Toshiba & SanDisk Εγκαινιάζουν την επέκταση του Fab 5]http://www.hwbox.gr/images/news_images/toshiba2.jpg[/NEWS_IMG] Οι Toshiba & SanDisk γιορτάζουν το άνοιγμα της δεύτερης φάσης του Fab 5. Η εν λόγω φάση ακολουθείται από την ανακοίνωση της κατασκευής του Fab 2 στην Ιαπωνία το οποίο θα είναι υπεύθυνο για την κατασκευή NAND Flash. Οι εργασίες για την δεύτερη φάση του Fab 5 ξεκίνησαν τον Αύγουστο του 2013 και ολοκληρώθηκαν πρόσφατα με την παραγωγή να έχει ξεκινήσει από την αρχή του μήνα. Το Fab 2 από την άλλη, αναμένεται να μπει σε τροχιά παραγωγής το 2016 για να μετατρέπει 2D NAND σε 3D NAND. Οι δύο εταιρείες, με αυτή την κοινή στρατηγική αναμένουν να ικανοποιήσουν την αγορά, η οποία σύμφωνα με τα λεγόμενά τους, αναμένεται αυξημένη, όσον αφορά Flash μνήμες για smartphones, tablets και SSDs. Outline of Fab 5 (including phase 2) at Yokkaichi Operations Structure of building: 2-Story steel frame concrete, five floors Building area: Approximately 38,000 m² Start of construction: (Phase 1) July 2010; (Phase 2) August 2013 Building completion: (Phase 1) July 2011; (Phase 2) September 2014 Outline of the New Fab 2 at Yokkaichi Operations Structure of building: 2-Story steel frame concrete, five floors Building area: Approximately 27,300 m² [img_alt=Toshiba & SanDisk Εγκαινιάζουν την επέκταση του Fab 5]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture33266.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Samsung: Σε μαζική παραγωγή τα 3D TSV DDR4 modules της]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Η Samsung ανακοίνωσε πως ξεκινά την μαζική παραγωγή των πρώτων 3D TSV-based DDR4. Συγκεκριμένα, η Samsung τα πρώτα 64GB DDR4 RDIMMs που χρησιμοποιούν την τεχνολογία 3D 'through silicon via' (TSV) η οποία μειώνει την απαίτηση σε ρεύμα στο μισό απ' ότι ένα τυπικό (δεν αναφέρεται αν είναι DDR3 ή 4) 64GB module, ενώ θα έχουν τη διπλάσια ταχύτητα. Η εταιρεία έχει σημειώσει μια μεγάλη πρόοδο στην βιομηχανία των 3D μνημών με χαρακτηριστικό παράδειγμα τα 3D V-NAND Flash Chips που βρίσκουμε στους SSD ενώ η 3D TSV τεχνολογία συνδέει κάθετα τα dies για την επίτευξη μεγαλύτερων επιδόσεων. [img_alt=Samsung: Σε μαζική παραγωγή τα 3D TSV DDR4 modules της]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture32304.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Intel, SSD Roadmap αποκαλύπτει νέα σειρά]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel2.jpg[/NEWS_IMG] Εκτός από το CPU roadmap που διέρρευσε, έχουμε πληροφορίες και για το SSD roadmap της Intel. Συγκεκριμένα βλέπουμε την ύπαρξη μιας νέας γενιάς SSDs, την 750 η οποία θα διαδεχθεί τους 730 που αποκαλύφθηκαν στις αρχές του έτους. Σύμφωνα με το roadmap βλέπουμε ότι η νέα σειρά θα έρχεται εκτός από το συνηθισμένο SATA 2.5" form factor και σε M.2 και mSATA μορφές ακολουθώντας τις τάσεις της εποχής. Τέλος, δεν περιμένουμε να τους δούμε με σάρκα και οστά πριν το Q4 2014. [img_alt=Intel, SSD Roadmap αποκαλύπτει νέα σειρά]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums430-picture29313.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Marvell 88SS1074 SATA SSD Controller]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general6.jpg[/NEWS_IMG] Η Marvell ανακοίνωσε τον 5ης γενιάς SATA 6 Gbps controller για SSDs στα 28nm. Ο λόγος για τον Marvell 88SS1074 SATA SSD ο οποίος υποστηρίζει NAND Flash μνήμες TLC στα 15nm καθώς και 3D NAND ενώ θα προσφέρει και error correction χαρακτηριστικά όπως την NANDEdge error-correcting τεχνολογία. Ο controller κατασκευάζεται στην προηγμένη λιθογραφία των 28nm CMOS και παράλληλα εξοικονομεί περισσότερη ενέργεια σε σχέση με άλλα μοντέλα. Δείγματα του 88SS1074 SATA SSD controller έχουν αρχίσει να αποστέλλονται ενώ θα έχουμε περισσότερες πληροφορίες στην Computex όπου και θα παρουσιαστεί. [img_alt=Marvell 88SS1074 SATA SSD Controller]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums419-picture26993.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/images/news_images/ibm.jpg[/NEWS_IMG]Που σύμφωνα με τις μετρήσεις της θα μπορεί να είναι μέχρι 275 φορές πιο γρήγορη από τους τωρινούς SSDs! Σκοπός της IBM είναι αυτή η νέου τύπου μνήμη, να αντικαταστήσει κάποια μέρα τις NAND flash μνήμες που χρησιμοποιούμε στους SSDs. Η έρευνα της εταιρίας πάνω στην phase change memory αποτελεί μέρος του Theseus Project που γίνεται σε συνεργασία με το πανεπιστήμιο της Πάτρας και προσπαθεί να συνδυάσει την phase change memory και τις κλασσικές μνήμες NAND και DRAM στον ίδιο controller, ώστε να δημιουργήσει ένα hybrid αποθηκευτικό μέσο που θα ξεπερνά σε ταχύτητες τους PCIe SSDs από 12 ως 275 φορές. Η phase change memory (PCM) αποτελεί μία από τις πολλές προτάσεις που μπορούν στο μέλλον να αντικαταστήσουν τις NAND μνήμες και κατασκευάζεται από chalcogenide glass. Η απότομη θέρμανση του, το κάνει να μεταβάλει την δομή του από την άμορφη κατάσταση που έχει μεγάλη ηλεκτρική αντίσταση και μπορεί να θεωρηθεί το δυαδικό 0 στην κρυσταλλική φάση που θεωρείται το δυαδικό 1 και έχει ελάχιστη αντίσταση. Η εναλλαγή μεταξύ των δύο φάσεων είναι πολύ γρήγορη ενώ έρευνες της Intel και της Micron έδειξαν οτι μπορούν να υπάρξουν και ενδιάμεσες καταστάσεις ώστε να μπορούν να αποθηκευτούν δύο bit πληροφοριών ανά κελί μνήμης. Παράλληλα η phase change memory προσφέρει πολύ χαμηλό latency και αρκετά υψηλότερες ταχύτητες σε σχέση με την NAND μνήμη, ενώ αντέχει εκατομμύρια write cycles σε σχέση με την NAND μνήμη που προσφέρει μέχρι 30.000 κύκλους στις SLC NAND. Αυτό που προτείνει η IBM είναι ένα υβριδικό σχήμα όπου θα χρησιμοποιείται τόσο η NAND μνήμη όσο και μια μικρή ποσότητα PCM προσφέροντας δυνατότητες χαμηλού latency. Στο PSS (Prototype Storage Solution) που προτείνει η εταιρία η PCM λειτουργεί σαν cache ή σαν ένα ακόμα επίπεδο αποθήκευσης μεταξύ της NAND και της DRAM. Στα διαγράμματα φαίνονται οι δυνατότητες της νέας μνήμης όπου το μέγιστο latency του PSS είναι μόλις 2.000μs σε ενώ οι MLC προτάσεις έχουν 20.000μs και η TLC μνήμη 120.000μs. Υπάρχει ένα πρόβλημα όμως. Το πρωτότυπο PSS σύστημα της IBM βασίζεται σε μνήμες 90nm της Micron. Η Micron όμως ανακοίνωσε στις αρχές του χρόνου οτι σταματάει την εξέλιξη της PCM και αποσύρεται από την αγορά γιατί θέλει να επικεντρωθεί στις 3D NAND μνήμες. Αν και φαίνεται λοιπόν οτι η phase change memory θα μπορούσε να αποτελέσει μια μελλοντική λύση για μεγαλύτερες ταχύτητες και με καλύτερη αντοχή από τις τωρινές μνήμες θα δυσκολευτεί πολύ να βρει τον δρόμο της στην αγορά. [img_ALT=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture25976.jpg[/img_ALT] [img_ALT=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture25977.png[/img_ALT] [img_ALT=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture25978.png[/img_ALT] [img_ALT=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture25979.png[/img_ALT] [img_ALT=H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture25975.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ....
-
[NEWS_IMG=OCZ RevoDrive 350 PCIe SSD]http://www.hwbox.gr/images/news_images/ocz2.jpg[/NEWS_IMG] Η OCZ ανακοίνωσε τον νέο PCIe SSD drive, 350 της σειράς RevoDrive. Ο νέος SSD της εταιρείας διαθέτει αρκετά χαρακτηριστικά από την workstation κατηγορία στους απλούς καταναλωτές είτε για βαριές εργασίες είτε για gaming. Χρησιμοποιεί τα Toshiba NAND flash memory chips στα 19nm για την αποθήκευση των δεδομένων τα οποία προσφέρουν αυξημένες επιδόσεις. Ο δίσκος επικοινωνεί με την μητρική με το PCIe v2 x8 interface και χρησιμοποιεί έως και 4x LSI SF-2282 επεξεργαστές για μεγαλύτερο bandwidth. Οι επιδόσεις του ανέρχονται σε 1.8GB/s sequential speeds και έως και 140,000 4K random write IOPS χαρακτηριστικά που βλέπουμε σε αντίστοιχα RAID setups με την διάρκεια ζωής του να ανέρχεται σε 50GB writes per day. Ο Daryl Lang, Senior Vice President of Product Management for OCZ Storage Solutions μεταξύ άλλων δήλωσε: "Ο νέος RevoDrive 350 κατασκευάζεται με βάση της τελευταία τεχνολογίας NAND Flash chips της Toshiba αλλά και της Virtualized Controller Architecture (VCA) 2.0 τεχνολογίας της OCZ για υψηλές επιδόσεις που δεν βαραίνουν το υπόλοιπο σύστημα". Ο δίσκος θα διατίθεται σε χωρητικότητες των 240, 480 και 960GB και η OCZ Storage Solutions τους συνοδεύει από εγγύηση 3 ετών. [img_alt=OCZ RevoDrive 350 PCIe SSD]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums379-picture25150.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Crucial M550 Series SSDs Announced]http://www.hwbox.gr/images/metro/news_images/crucial.png[/NEWS_IMG] Η σειρά M550 είναι το νέο δημιούργημα της Crucial όσον αφορά την επιτυχημένη σειρά SSDs, M500. Η νέα σειρά, έρχεται σε πολλά form factors συμπεριλαμβανομένων των 7 mm-thick 2.5-inch SATA, mSATA, και M.2 για μεγαλύτερη υποστήριξη από αρκετούς τύπους υπολογιστών. Σε σχέση με παλιότερους δίσκους της εταιρείας, οι M550, διαθέτουν αρκετά νέα χαρακτηριστικά όπως το NWA (native write acceleration), RAIN (redundant array of independent NAND) adaptive thermal protection (ATP) και hardware encryption. Στο εσωτερικό βρίσκουμε έναν Marvell-made controller με NAND flash της Micron. Τα mSATA 6 Gb/s και τα M.2 μοντέλα έρχονται σε χωρητικότητες 128 GB, 256 GB, και 512 GB ενώ ο 2.5-inch SATA 6 Gb/s, αγγίζει και το 1TB. Οι επιδόσεις του είναι αρκετά ικανοποιητικές και φτάνουν τα 550 MB/s reads, 500 MB/s seq. writes. Συνοδεύονται από τριετή εγγύηση και αναμένονται σύντομα. [img_alt=Crucial M550 Series SSDs Announced]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums350-picture23932.jpg[/img_alt] [img_alt=Crucial M550 Series SSDs Announced]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums350-picture23933.jpg[/img_alt] [img_alt=Crucial M550 Series SSDs Announced]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums350-picture23934.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Η Samsung παρουσιάζει τοn 840 EVO mSATA Solid State Drive!]http://www.hwbox.gr/images/metro/news_images/samsung.png[/NEWS_IMG]Η Samsung Electronics παρουσίασε σήμερα μια νέα, εύχρηστη λύση αποθήκευσης, τον 840 EVO mSATA SSD. Εικονιζόμενος παρακάτω, αυτός ο SSD κάνει χρήση 128 gigabit (Gb) 1x-nm NAND flash μνήμης, διαθέτει έναν Samsung ελεγκτή με τεχνολογία TurboWrite και είναι σε θέση τυχαίας ανάγνωσης 98.000 και τυχαία εγγραφής 90.000 IOPS. Επίσης προσφέρει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης/εγγραφής έως και 540/520 MB/s. Ο 840 EVO mSATA θα γίνει διαθέσιμος αυτό το μήνα παγκοσμίως σε χωρητικότητες των 120 GB, 250 GB, 500 GB και 1 TB. "Με τη νέα mSATA SSD σειρά που προσφέρει έως και 1 TB μνήμης και ένα βελτιστοποιημένο εργαλείο λογισμικού, αναμένουμε ότι οι καταναλωτές μπορούν να απολαύσουν υψηλό όγκο αποθήκευσης και επιδόσεις στα ultra-slim notebooks, εκτός από τους επιτραπέζιους υπολογιστές," δήλωσε ο Unsoo Kim, ανώτερος αντιπρόεδρος marketing των προϊόντων μνήμης της Samsung Electronics. "Θα συνεχίσουμε να παράγουμε κυρίαρχα SSD προϊόντα και λύσεις λογισμικού με βελτίωση της ποιότητας και της αξιοπιστίας, ενώ εργαζόμαστε ώστε να προσφέρουμε υψηλότερη ικανοποίηση στους καταναλωτές και να ενισχύσουμε την ανταγωνιστικότητα των προϊόντων μνήμη μας." [img_ALT=Η Samsung παρουσιάζει τοn 840 EVO mSATA Solid State Drive!] http://www.hwbox.gr/members/4851-albums128-picture19164.jpg[/img_ALT][img_ALT=Η Samsung παρουσιάζει τοn 840 EVO mSATA Solid State Drive!]http://www.hwbox.gr/members/4851-albums128-picture19165.jpg[/img_ALT] [img_ALT=Η Samsung παρουσιάζει τοn 840 EVO mSATA Solid State Drive!]http://www.hwbox.gr/members/4851-albums128-picture19166.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Νέα εποχή για τους SSDs, με έμφαση στην ψύξη]http://www.hwbox.gr/images/metro/news_images/intel1.png[/NEWS_IMG] Περισσότερα NAND Flash chips ίσον, περισσότερη θερμότητα. Και γι' αυτό η Intel έχει την λύση! Μέσα από μια διαρροή δύο σημαντικών εγγράφων στο VR-Zone έχουμε μια πρώτη εικόνα για τους SSDs (consumer & enterprise) που θα πρωτοστατήσουν την μεθ-επόμενη χρονιά. Συγκεκριμένα η συνεχής τάση προς την αύξηση των χωρητικοτήτων, έχει ωθήσει πολλούς κατασκευαστές στο να ανασχεδιάσουν τους SSDs τους με περισσότερα NAND Flash chips αυτή τη φορά, μεγαλύτερης πυκνότητας στον ίδιο χώρο (2.5") δημιουργώντας δύο προβλήματα: Θερμοκρασίας και Κατανάλωσης. Η Intel μέσω των δύο screenshots αναφέρει πως ο ιδανικός τρόπος είναι να δημιουργήσουμε SSDs 3.5" και να τους χωρίσσουμε σε δύο μέρη (2x PCBs), με το ένα να περιέχει την κεντρική πλακέτα (controller + cache) και το άλλο τις NAND Flash μνήμες. Η εταιρεία αναφέρει επίσης πως ο δίσκος θα καταναλώνει 25W κατά την χρήση. Το περίβλημα της συσκευής θα είναι μεταλλικό και θα λειτουργεί ως ψύχτρα για να απάγει την θερμότητα. Οι δίσκοι με τα ονόματα "Fultondale" και "Pleasantdale" της παραπάνω κατασκευαστικής μεθόδου, αναμένονται στην IDF του χρόνου τέτοια εποχή. [img_ALT=Νέα εποχή για τους SSDs, με έμφαση στην ψύξη]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums261-picture18869.jpg[/img_ALT] [img_ALT=Νέα εποχή για τους SSDs, με έμφαση στην ψύξη]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums261-picture18870.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Toshiba NAND Flash Memory: Ξεκινάει η μαζική παραγωγή νέας γενιάς μνημών]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354e6168f72b676.jpg[/NEWS_IMG]H Toshiba Corporation ανακοίνωσε σήμερα ότι ανέπτυξε την νέα τεχνολογία δεύτερης γενιάς των 19 nanometer, η οποία θα χρησιμοποιηθεί στη μαζική παραγωγή 2-bit-per-cell 64 gigabit NAND memory chips. Η εταιρεία κατάφερε να δημιουργήσει τα συγκεκριμένα πολύ μικρά σε μέγεθος chips μνήμης, η επιφάνεια των οποίων καταλαμβάνει μόλις 94 τετραγωνικά χιλιοστά. Χρησιμοποιώντας μια μοναδική και ταχύτατη μέθοδο εγγραφής τα νέα chips μπορούν να προσφέρουν ταχύτητες εγγραφής της τάξεως των 25 megabytes το δευτερόλεπτο. Η εταιρεία όμως, συνέχισε περαιτέρω τις προσπάθειές της και ανέπτυξε 3-bit-per-cell chips που βασίζονται στην ίδια τεχνολογία και θα εισέλθουν στη μαζική παραγωγή το δεύτερο τρίμηνο του τρέχοντος οικονομικού έτους. Συγκεριμένα θα παρουσιάσει αρχικά 3-bit, multi-level-cell προιόντα για smartphones και tablets με την ανάπτυξη ενός ελεγκτή συμβατού με eMMC και θα επεκτείνει την εφαρμογή τους και σε notebook PCs με την δημιουργία αντίστοιχου controller συμβατού με solid state drives. Κλείνοντας να μην αμελήσουμε να αναφέρουμε το σπουδαίο ρόλο που διαδραματίζουν οι NAND flash μνήμες σε memory cards, smartphones, tablets και notebook PCs. <center> [img_ALT=Toshiba NAND Flash Memory: Ξεκινάει η μαζική παραγωγή νέας γενιάς μνημών]http://www.hwbox.gr/members/5813-albums110-picture10070.jpg[/img_ALT]</center> Διαβάστε περισσότερα εδώ... -
[NEWS_IMG=OCZ Technology: Θα συνεχίσει να βασίζεται σε controllers άλλων κατασκευαστών]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354dffb8705c92f.jpg[/NEWS_IMG]Η OCZ Technology Group, μία από τις πιο γνωστές εταιρίες στην αγορά των SSD δίσκων, τόσο για εταιρικά περιβάλλοντα όσο και για τους απλούς καταναλωτές, ανέφερε κατά την διάρκεια μίας παρουσίασης πριν λίγο καιρό οτι θα συνεχίσει να χρησιμοποιεί controllers από τρίτους κατασκευαστές στους SSD δίσκους της. Δεδομένου οτι αυτή την στιγμή η εταιρία έχει μόνο έναν δικό της controller και δεν μπορεί να τον χρησιμοποιήσει σε όλες τις προτάσεις της, θα πρέπει να βασιστεί σε υλικό άλλων κατασκευαστών. Όπως αναφέρει ο Ralph Schmitt, CEO, OCZ Technology Η χρήση του δικού της controller θα επιτρέψει στην εταιρία να χρησιμοποιήσει νέα είδη NAND flash μνήμης χωρίς να είναι αναγκασμένη να περιμένει τις άλλες εταιρίες. Παράλληλα η δημιουργία του firmware για τον δικό της controller θα είναι πιο εύκολη και θα μπορεί να το προσαρμόσει στις απαιτήσεις της αγοράς. Ακόμα η κυκλοφορία του Barefoot 3 controller δεν θα περιοριστεί μόνο στην σειρά Vector, οπότε οι δυνατότητες του φανούν ακόμα καλύτερα μέσα στους επόμενους μήνες. Ο Vector βασίζεται σε synchronous multi-level cell (MLC) NAND flash οπότε η εταιρία με την χρήση του ίδιου controller μπορεί να χρησιμοποιήσει μνήμες με toggle DDR interface για υψηλότερες επιδόσεις ή triple-level-cell NAND flash για αυξημένη χωρητικότητα και μειωμένες τιμές. Η OCZ δεν έκανε κανένα επίσημο σχόλιο για το μέλλον των προϊόντων της ούτε έδωσε περισσότερες πληροφορίες για τα μελλοντικά της σχέδια στην enterprise κατηγορία όπου πιθανόν ο νέος controller να ανταγωνιστεί την πλατφόρμα Kilimanjaro, μία συνεργασία της OCZ με την Marvell. [img_ALT=OCZ Technology: Θα συνεχίσει να βασίζεται σε controllers άλλων κατασκευαστών] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/46515122a2b534f5a.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ.... -
[NEWS_IMG=M5S & M5 Pro: NAND Flash αλλαγή σχεδιασμού στους SSD της Plextor!]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354f0da90d3b438.jpg[/NEWS_IMG]Η Plextor εφήρμοσε μια αλλαγή σχεδιασμού στη NAND flash μνήμη των M5S και M5 Pro SSDs. Και οι δύο υπέστησαν αλλαγή από 20 nm-class NAND flash chips στο BGA package, σε 19 nm chips στο TSOP (pins κατά μήκος των μικρότερων άκρων) package. Και τα δύο chips είναι κατασκευασμένα από την Toshiba. Ο ελεγκτής και το πιο πρόσφατο firmware (FW 1.02) παραμένουν αμετάβλητα. Η αλλαγή σε chips στο TSOP package δεν επηρεάζει τις προδιαγραφές ή την τιμή των προϊόντων, αλλά δίνει στον ελεγκτή τη δυνατότητα να χειριστεί μεγαλύτερο μέγεθος σελίδας στα chips. Τα TSOP chips διαθέτουν μέγιστο μέγεθος σελίδας των 16 KB/σελίδα, ενώ τα BGA chips διαθέτουν 8 KB/σελίδα. Θεωρητικά, αυτό θα πρέπει να βελτιώσει τη διαχείριση buffer, όταν ο ελεγκτής αποφασίζει να χρησιμοποιήσει τη NAND flash αντί να έχει ένα gigabyte DRAM μνήμης cache στη διάθεσή του. Επιπλέον, τα νέα TSOP package NAND flash chips έχουν ελαφρύτερες θερμικές απαιτήσεις, επιτρέποντας στην Plextor να απαλλαγεί από τα αγώγιμα θερμικά επιθέματα πάνω από τα chips, εξοικονομώντας έτσι ένα με δύο δολάρια. Η εταιρεία δεν έχει κυκλοφορήσει λεπτομέρειες για το πώς να προσδιορίσουν οι καταναλωτές τις δύο παραλλαγές των δίσκων κοιτάζοντας τους σειριακούς τους αριθμούς. [img_ALT=M5S & M5 Pro: NAND Flash αλλαγή σχεδιασμού στους SSD της Plextor!] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/485150f920afcb908.jpg[/img_ALT][img_ALT=M5S & M5 Pro: NAND Flash αλλαγή σχεδιασμού στους SSD της Plextor!]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/485150f920aff2a25.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=NAND Flash: Η αξία τους και ο διαμοιρασμός της πίτας]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354b7eea4ceb174.jpg[/NEWS_IMG]Η εταιρία έρευνας αγοράς TrendForce εξέδωσε τα αριθμητικά στοιχεία για τα φορτία NAND Flash για το Q3 του 2012. Η παγκόσμια αγορά NAND Flash κοστολογείται στα 4,626 δις $, παρουσιάζοντας αύξηση 6,6 % σε σχέση με το προηγούμενο τρίμηνο. Η DRAMeXchange που ανήκει στην TrendForce εξέδωσε μια αναφορά στην οποία μας παρουσιάζει την κατανομή των φορτίων NAND Flash ανά κατασκευαστή. Σύμφωνα με αυτή, η Samsung έρχεται πρώτη με μερίδιο 41,2% στην αγορά, παρουσιάζοντας τριμηνιαία αύξηση κερδών 1,8%. Στην επόμενη θέση βρίσκεται η Toshiba με μερίδιο 24,7% και σημαντική αύξηση κερδών 12,9% σε σχέση με το προηγούμενο τρίμηνο. Το Σεπτέμβριο η Toshiba είχε μειώσει τις τιμές και είχε αυξήσει την παραγωγή γεγονότα που έχουν συμβάλει στην αύξηση του μεριδίου της στην αγορά. Η Micron έχει το 14,4% της αγοράς με αύξηση κερδών 2,8%, η SK Hynix το 11,6% με αύξηση κερδών 6,4% και η Intel έχει μερίδιο 7,6% με αύξηση κερδών 19,7%. Έχετε υπόψη ότι οι αριθμοί αυτοί δεν αφορούν μόνο εξαρτήματα NAND Flash που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή δίσκων SSD αλλά και σε USB flash drives, κάρτες μνήμης και άλλα. [img_ALT=NAND Flash: Η αξία τους και ο διαμοιρασμός της πίτας] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/13485099680498f37.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ
-
[NEWS_IMG=Toshiba NAND flash: Θα μειώσει τις τιμές τους μέχρι 25%]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354b7eea4ceb174.jpg[/NEWS_IMG]Η Toshiba είχε ανακοινώσει τον Ιούλιο που μας πέρασε οτι σκόπευε να μειώσει την παραγωγή NAND flash μνημών στο εργοστάσιο της Yokkaichi Operation plant για να μειώσει τα αποθέματα στις αποθήκες της και για ρυθμίσει την ισορροπία μεταξύ προσφοράς και ζήτησης. Από οτι φαίνεται το σχέδιο της αυτό απέτυχε μιας και λόγω της μείωσης της παραγωγής από την Toshiba, η Micron Technology αύξησε την δική της παραγωγή και κέρδισε μεγαλύτερο μερίδιο στην αγορά κάνοντας πολλούς κατασκευαστές δίσκων SSD να αρχίσουν να προσφέρουν προϊόντα με τσιπάκια της Micron. Για αυτόν τον λόγο φαίνεται οτι η Toshiba αποφάσισε να αυξήσει την δική της παραγωγή και ταυτόχρονα να μειώσει τις τιμές της μεταξύ του 20% - 25%. Κάτι τέτοιο αναμένεται να μειώσει και άλλο τις τιμές στους SSD δίσκους μιας και οι εταιρίες θα καταλήξουν να έχουν μεγάλα αποθέματα δίσκων με τσιπ και από τις δύο εταιρίες. [img_ALT=Toshiba NAND flash: Θα μειώσει τις τιμές τους μέχρι 25%]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/4651504fa28ac6b2c.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Intel 330 SSD's: Ένα νέο μέλος στην οικογένεια]http://reviews.hwbox.gr/news/intel.jpg[/NEWS_IMG]Η Intel, αποφάσισε να επεκτείνει την mainstream σειρά των SSD drive της, δηλαδή την 330 series, με την προσθήκη ενός μοντέλου που καλύπτει πλέον το κενό σε χωρητικότητες άνω των 200 GB, μιάς και μέχρι πρόσφατα το μεγαλύτερο μοντέλο ήταν αυτό των 180 GB. Πλέον, η Intel εισάγει ένα 240 GB model, το οποίο σε συνδυασμό με την ήδη εφαρμοζόμενη Μείωση στις τιμές των Intel SSDs, περιορίζει ακόμη και την διαφορά στις επιδόσεις της 330 με την 520 series, στοιχείο που παλαιότερα προσπαθούσε να διατηρήσει η εταιρία. Το νέο 2.5" drive με πάχος μόλις 9.5 mm, επιτυγχάνει ταχύτητες σειριακής ανάγνωσης και εγγραφής της τάξης των 500 και 450 MB/sec αντίστοιχα. Αυτές οφείλονται αφενός στον SandForce SF-2281, ο οποίος υπάρχει και στα 520 Intel SSD, και αφετέρου στο πρότυπο διασύνδεσης SATA III 6 Gbps, το οποίο παρέχει το απαραίτητο bandwidth. Στις παραπάνω επιδόσεις έρχονται να προστεθούν τα 42000 και 52000 IOPS (Input Output Operations per Second) στην ανάγνωση και εγγραφή των 4K αρχείων αντίστοιχα. Αξίζει να αναφερθεί πως παρά τον παρόμοιο controller οι δύο σειρές διαφέρουν κυρίως σε δύο σημεία. Αφενός την διάταξη των NAND flash μνημών και αφετέρου τις βελτιστοποιήσεις του Firmware, το οποίο αποτελεί σημαντικότατο παράγοντα στον τομέα των επιδόσεων. Η πώληση του drive θα γίνει με διάφορα variations και συγκεκριμένα τρεις παραλλαγές: <ul><li>Tray μορφή(μόνο το drive)</li><li>Retail συσκευασία χωρίς adaptor</li><li>Retail συσκευασία με 2.5" σε 3.5" adaptor</li></ul> Όσον αφορά την τιμολογιακή πολιτική που σκοπεύει να ακολουθήσει η Intel, δεν έχει πραγματοποιηθεί κάποια δήλωση της εταιρίας. Όμως, μία τιμή της τάξης των 200$ φαίνεται να αποτελεί αντιπροσωπευτικό δείγμα. <img style="border-radius: 12px; box-shadow: 5px 5px 12px #3CF;" src="http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/378250047d55d04ae.jpg" alt="Intel 330 SSD's: Ένα νέο μέλος στην οικογένεια" /> <br /> Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Transcend MSA720: mSATA SSD με υποστήριξη SATA 3]http://reviews.hwbox.gr/news/transcend.jpg[/NEWS_IMG]Ανακοινώθηκε σήμερα από την Transcend, πρωτοπόρο εταιρία σε προιόντα αποθήκευσης δεδομένων και multimedia, ο νέος SSD MSA720 για την υποδοχή mSATA. Ο νέος δίσκος προσφέρει όλα τα πλεονεκτήματα της σύνδεσης SATA3 6 Gb/s καθώς και την αξιοπιστία των SSD σε ένα μικρό πακέτο ειδικά σχεδιασμένο για συστήματα με περιορισμένο χώρο που διαθέτουν υποδοχή mini-PCIe (mSATA). Σχεδιασμένο γύρω από τον γνωστό SandForce SF-2281 controller και με υποστήριξη SATA3 το MSA720 προσφέρει ταχύτητες εγγραφής μέχρι 530 MB/s και ανάγνωσης μέχρι 560 MB/s ενώ στα 4K random file write αγγίζει τα 91.000 IOPS. Αυτές οι επιδόσεις θα φανούν χρήσιμες σε συστήματα με δύο δίσκους όπου ένας κλασσικός σκληρός δίσκος μεγάλης χωρητικότητας χρησιμοποιείται για την αποθήκευση των αρχείων και ο MSA720 χρησιμοποιείται σαν cache για την βελτίωση της ταχύτητας του λειτουργικού συστήματος και των εφαρμογών. Με μέγεθος στο 1/8 ενός κλασσικού δίσκου 2.5" και με βάρος μόλις επτά γραμμάρια, το MSA720 είναι η καλύτερη επιλογή για λεπτές και πανάλαφρες συσκευές όπως ultrabooks, notebooks και tablets. Παράλληλα η χρήση MLC NAND flash chips προσφέρει άριστη αντοχή σε κραδασμούς και πτώσεις και είναι η κατάλληλη επιλογή για βιομηχανικές εφαρμογές όπως ιατρικά μηχανήματα και slim servers. Ακόμα η υποστήριξη των λειτουργιών S.M.A.R.T., TRIM και NCQ διασφαλίζει την μακροζωία του δίσκου. Για την διασφάλιση των δεδομένων το MSA720 υποστηρίζει hardware-based 256-bit Advanced Encryption Standard (AES) για κρυπτογράφηση των δεδομένων σε real time χωρίς πτώση στην απόδοση του δίσκου. Παράλληλα χρησιμοποιεί και την τεχνολογία DuraWrite για να διασφαλίσει απόλυτη αξιοπιστία και ασφάλεια στα δεδομένα του χρήστη. Το MSA720 είναι διαθέσιμο σε χωρητικότητες 64 και 128GB και έχει τρία χρόνια εγγύηση. [img_ALT=Transcend MSA720: mSATA SSD με υποστήριξη SATA 3] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/46514fad8d33a5e41.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
