Search the Community
Showing results for tags '30nm'.
Found 4 results
-
[NEWS_IMG=Η Micron πλησιάζει την Samsung στην αγορά DRAM]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Όπως ανακοίνωσε η εταιρία, η ψαλίδα μεταξύ αυτής και της Samsung θα κλείσει περισσότερο με την είσοδο DRAM στα 16nm. Η Samsung Electronics από τον Μάρτιο του 2014 κατασκευάζει DRAM χρησιμοποιώντας τη λιθογραφία των 20nm και έκτοτε κάνει μαζική παραγωγή των chip. Από την άλλη, η Micron, ξεκίνησε την δοκιμαστική παραγωγή 20nm DRAM προς το τέλος του 2014 και μόλις πρόσφατα ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή και κατά συνέπεια αποστολή τους στην αγορά και η πλειοψηφία που υπάρχει εκεί έξω είναι στα 25nm και τα 30nm όσον αφορά πάντα τα Micron chips. Με την Samsung να βρίσκεται ξεκάθαρα μπροστά στη λιθογραφία των 20nm, η Micron ευελπιστεί να φτάσει τη πρώτη, στο αγώνα για DRAM στα 16nm, κάτι που θα το δούμε μέσα στο 2016 σύμφωνα με τα όσα είπε ο πρόεδρος της Micron, Mark Adams. [img_alt=Η Micron πλησιάζει την Samsung στην αγορά DRAM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture49050.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Samsung DDR4 DIMM: Ανακοινώθηκαν modules των 16GB για τις μελλοντικές πλατφόρμες]http://reviews.hwbox.gr/news/general_it_2.jpg[/NEWS_IMG]Τις πρωτοείδαμε στην έκθεση ISSCC 2012 και από οτι φαίνεται η μνήμη DDR4 θα αποτελέσει τον βασικό τύπο μνήμης για τις μελλοντικές πλατφόρμες, με κύρια χρήση στην Intel Haswell αρχιτεκτονική και την Post-Abu Dhabi αρχιτεκτονική της AMD.Παράλληλα η μνήμη GDDR6 ετοιμάζεται να παρουσιαστεί το 2014, οπότε για την ώρα θα μείνουμε με τις κλασσικές DDR3 και GDDR5. Προκειμένου να αρχίσουν οι διαδικασίες για γίνει qualification στις νέες πλατφόρμες (επεξεργαστές, μητρικές, μνήμες chipset κτλ) η Samsung άρχισε να στέλνει στις μεγάλες εταιρίες του χώρου τα πρώτα DDR4 modules. Τα πρώτα από αυτά προορίζονται για τις server πλατφόρμες και έρχονται στην μορφή των RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) με χωρητικότητα 16GB (128 Gbit). Και ενώ τα DDR3 RDIMM είχαν ταχύτητες από 1333MHz μέχρι 1600MHz οι επίσημες προδιαγραφές PC4-17000 δείχνουν οτι οι DDR4 θα ξεκινήσουν από εκεί που σταμάτησαν οι DDR3, δηλαδή τα 2133MHz. Ταυτόχρονα η κατανάλωση ρεύματος μειώνεται μέχρι 40% με την τάση λειτουργίας να είναι μόλις 1,2V σε σύγκριση με το 1,35V της DDR3. Τα πρώτα δοκιμαστικά modules φαίνεται οτι θα κατασκευάζονται στα 30nm, αλλά η Samsung ανακοίνωσε οτι όταν κυκλοφορήσουν επίσημα θα κατασκευάζονται στα 20nm και θα έρχονται σε χωρητικότητες των 8GB, 16GB και 32GB ανά module. Αυτό σημαίνει οτι στις πλατφόρμες Haswell-EP και Haswell-EX θα μπορεί να τοποθετηθεί μέχρι 256GB μνήμης ανά επεξεργαστή ή 1TB αν έχουμε σύστημα με τέσσερις επεξεργαστές. Τέλος εκτός από τις μνήμες RAM η DDR4 θα μπορεί να τοποθετηθεί σε SAS/SATA Express controllers, κάρτες γραφικών χαμηλών επιδόσεων ή accelerator cards. [img_ALT=Samsung DDR4 DIMM: Ανακοινώθηκαν modules των 16GB για τις μελλοντικές πλατφόρμες] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/46514ff6087e25267.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ... -
[NEWS_IMG=Samsung DDR4: Το πρώτο 30nm DDR4 2133MHz DIMM είναι γεγονός!]http://reviews.hwbox.gr/news/samsung.jpg[/NEWS_IMG]H Samsung γράφει για ακόμα μια φορά ιστορία, αφού έγινε η πρώτη εταιρεία παγκοσμίως που κατασκεύασε DDR4 module. Το εντυπωσιακό DIMM χρησιμοποιεί 30nm DRAMs, λειτουργεί στα 2133MHz με ρεύμα μόλις 1.2V και εκμεταλλεύται τα απαράμιλλα πλεονεκτήματα της νέας τεχνολογίας εξοικονόμησης ενέργειας Pseudo Open Drain (POD). Με την POD technology, το Samsung DDR4 module χρειάζεται ακριβώς το μισό ρεύμα σε σχέση με τα τωρινά DDR3 modules κατά την ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων. Για την ώρα δεν γνωρίζουμε το χρονοδιάγραμμα που χάραξε η Samsung όσον αφορά την είσοδο των DDR4 μνημών στην mainstream αγορά, αφού προς το παρόν οι εταιρείες δείχνουν ιδιαίτερα ευχαριστημένες και "βολεμένες" με τις DDR3. Παρόλα αυτά μείναμε άφωνοι όταν μάθαμε ότι οι συχνότητες λειτουργίας των DDR4 μνημών ξεκινάνε επισήμως από 1600MHz και καταλήγουν στα 3200MHz. Σκεφτείτε μόνο ότι το παγκόσμιο ρεκόρ DDR3 συχνότητας αυτή τη στιγμή είναι 3300MHz και έγινε με επεξεργαστή και μνήμες σε υγρό άζωτο... [img_ALT=Samsung DDR4: Το πρώτο 30nm DDR4 2133MHz DIMM είναι γεγονός!] http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/4614d25e41b3ada6.jpg[/img_ALT][img_ALT=Samsung DDR4: Το πρώτο 30nm DDR4 2133MHz DIMM είναι γεγονός!]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/4614d25e41b4f20c.jpg[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Samsung 32GB moviNAND devices]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/4649f528936c64f.jpg[/NEWS_IMG]Τους τελευταίους μήνες παρατηρεί κανείς την ραγδαία εξέλιξη της Samsung Εlectronics, η οποία πολύ εύστοχα εντόπισε τις υψηλές απαιτήσεις συγκεκριμένου καταναλωτικού κοινού και παρήγαγε εκπληκτικά προϊόντα μόνο για αυτούς. Εκτός από αυτό βέβαια, είναι ίσως η μοναδική - ειδικευόμενη στον τομέα των μνημών - εταιρεία που αφοσίωσε πολύ από τον πολύτιμο χρόνο της στην έρευνα και ανάπτυξη memory chips με τεχνολογία κατασκευής που εστιάζει στα λίγα nm. Μόλις πριν λίγες ώρες ανακοίνωσε ότι χρησιμοποιώντας την τεχνολογία κατασκευής 30nm, κατάφερε να κατασκευάσει και να ξεκινήσει επιτυχώς το shipping των 32GB moviNAND με ενσωματωμένα memory chips. Απλόχερα δημιουργημένες για τα κινητά τηλέφωνα και διάφορες άλλες φορητές συσκευές, οι 32GB moviNAND devices περιέχουν οχτώ 30nm 32GB NAND chips και ελεγκτή MMC. "Στη σημερινή εποχή η δίψα διαφόρων πελατών για επεξεργασία τεραστίων ποσοτήτων δεδομένων, ιδιαίτερα στην βιομηχανία της παραγωγής video όπου η ανάγκη για μεγάλες χωριτικότητες storage γίνεται όλο και μεγαλύτερη, είναι πραγματικά ακόρεστη", είπε ο Jim Elliott, Αντιπρόεδρος του τμήματος Memory Marketing της Samsung Semiconductor. "Η Samsung κατάφερε να πάρει την πρωτοκαθεδρία στην προσφορά OEMs με flash storage υψηλής πυκνότητας, τα οποία χαρακτηρίζονται από εξαιρετικά ratio κόστους / απόδοσης". Επιπροσθέτως, η Samsung την στιγμή που μιλάμε κατασκευάζει και moviNAND memory χωριτικότητας 4, 8 και 16GB. <img src="http://blogofwishes.com/wp-content/uploads/2006/09/samsung-movinand.jpg" alt="Samsung 32GB moviNAND devices" /> Διαβάστε περισσότερα εδώ ...
