Search the Community
Showing results for tags 'gate'.
Found 2 results
-
[NEWS_IMG=Μια διαφορετική μέθοδος κατασκευής εύκαμπτων FET]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general5.jpg[/NEWS_IMG] Το Nano Tech Web παρουσίασε μια δουλειά μιας Αμερικάνικης ομάδας η οποία σχεδίασε με επιτυχία νέα "ελαστικά τρανζίστορ" τύπου FET. Η δουλειά της ομάδας βασίζεται σε υπάρχουσες μεθόδους κατασκευής οπότε και η εφαρμογή της θεωρείται σχετικά εύκολη. Χάρη σε μερικά 3D εκτυπωμένα πρόσθετα τμήματα, η ομάδα κατάφερε να φτιάξει ένα λειτουργικό FET τρανζίστορ με τη βοήθεια ειδικών κολλοειδών νανοκρυστάλλων (που δεν αναμειγνύονται με άλλα γειτονικά "υλικά"). Το αποτέλεσμα ήταν ένα τρανζίστορ το οποίο ενσωματώνει την ίδια αρχιτεκτονική με τα τυπικά FET με το τρίπτυχο source, gate, drain όμως σε μια εύκαμπτη βάση. Η ομάδα αναφέρει πως η τεχνική μπορεί να επεκταθεί και σε διαφορετικά υποστρώματα και έτσι μπορεί να επιταχύνει την υιοθέτηση από τη βιομηχανία ειδικά για φορετές συσκευές και σχετικά gadget. Περισσότερα υπάρχουν στο αναλυτικό άρθρο του Nano Tech Web. [img_alt=Μια διαφορετική μέθοδος κατασκευής ελαστικών FET]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62367.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=NASA, λυχνίες με συχνότητα 460GHz!]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general5.jpg[/NEWS_IMG] Η NASA καταφέρνει και κατασκευάζει λυχνίες με συχνότητα 460GHz, μήπως ήρθε η ώρα να ξαναπάμε στις γνωστές μας "λάμπες"; Οι λυχνίες, ή κοινώς λάμπες, είναι ένα είδος transistor που χρησιμοποιούνταν ευρέως τον 20ό αιώνα ενώ με την έλευση μικρότερων, αποδοτικότερων transistor περιορίστηκαν σε συσκευές ηχητικού εξοπλισμού όπου ως γνωστόν προσφέρουν τη ζεστασιά την ποιότητα ήχου που δεν αναπαράγεται εύκολα από κάποιο solid state transistor. Όσο η σημερινή τεχνολογία προχωράει, τόσο πιο πολύ δύσκολο γίνεται να παραμείνουμε πιστοί στον νόμο του Moore που μιλά για διπλασιασμό των transistor κάθε δύο χρόνια. Η NASA έρχεται να ενώσει τις δύο εποχές και ίσως να δώσει τη λύση στις "απαιτήσεις" του Moore με το "vacuum-channel transistor". Η μέθοδος είναι η ίδια με αυτή που κατασκευάζονται τα σημερινά MOSFET με μερικές παραλλαγές για να "χωθεί" και η τεχνολογία της λυχνίας. Οι μηχανικοί της NASA κατάφεραν και χρόνισαν τα εν λόγω transistors στη συχνότητα των 460GHz, 10 φορές γρηγορότερα από τα transistors γραφενίου, κάνοντάς μας να περιμένουμε ένα terahertz ρεκόρ και φυσικά την υλοποίησή τους σε καταναλωτικά προϊόντα! [img_alt=NASA, λυχνίες με συχνότητα 460GHz!]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums430-picture29888.jpg[/img_alt] [img_alt=NASA, λυχνίες με συχνότητα 460GHz!]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums430-picture29885.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
