Search the Community

Showing results for tags 'hbm3'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • HWBOX | Main
  • HWBOX | Forum
    • HwBox.gr Ανακοινώσεις & Ειδήσεις
    • News/Ειδήσεις
    • Reviews
    • The Poll Forum
    • Παρουσιάσεις μελών
  • Hardware
    • Επεξεργαστές - CPUs
    • Μητρικές Πλακέτες - Motherboards
    • Κάρτες Γραφικών - GPUs
    • Μνήμες - Memory
    • Αποθηκευτικά Μέσα - Storage
    • Κουτιά - Cases
    • Τροφοδοτικά - PSUs
    • Συστήματα Ψύξης - Cooling
    • Αναβαθμίσεις - Hardware
  • Peripherals
    • Οθόνες
    • Πληκτρολόγια & Ποντίκια
    • Ηχεία - Headsets - Multimedia
    • Internet & Networking
    • General Peripherals
  • Overclocking Area
    • HwBox Hellas O/C Team - 2D Team
    • HwBox Hellas O/C Team - 3D Team
    • Hwbot.org FAQ/Support
    • Benchmarking Tools
    • General Overclocking FAQ/Support
    • Hardware Mods
  • Software Area
    • Operating Systems
    • Drivers Corner
    • General Software
    • General Gaming
  • The Tech Gear
    • Mobile Computing
    • Smartphones
    • Tablets
    • Digital Photography & Cameras
  • Off Topic
    • Free Zone
    • XMAS Contest
  • HWBOX Trade Center
    • Πωλήσεις
    • Ζήτηση
    • Καταστήματα & Προσφορές

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Location


Homepage


Interests


Occupation


ICQ


AIM


Yahoo


MSN


Skype


CPU


Motherboard


GPU(s)


RAM


SSDs & HDDs


Sound Card


Case


PSU


Cooling


OS


Keyboard


Mouse


Headset


Mousepad


Console


Smartphone


Tablet


Laptop


Camera


Drone


Powerbank

Found 3 results

  1. Μετά τις υποσχέσεις της Rambus για διπλάσιο Memory Bandwidth με HBM3 και DDR5, ήρθε η σειρά της Samsung Electronics να μας φέρει ακόμα πιο κοντά στις παραπάνω υλοποιήσεις. Τα νέα έρχονται μέσω της χθεσινής ανακοίνωσης της Samsung για την έναρξη της μαζικής παραγωγής των πρώτων 2ης γενιάς DRAM στα 10nm. Πρόκειται για την κατασκευή 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM η οποία προορίζεται για ευρεία χρήση σε computing systems επόμενης γενιάς. Σύμφωνα με τη Samsung, η νέα 8Gb DDR4 διαθέτει τις υψηλότερες επιδόσεις και την καλύτερη ενεργειακή απόδοση στην κατηγορία των 8Gb DRAM chip, καθώς και το μικρότερο σε μέγεθος chip που υπάρχει. Συγκριτικά με τα 1ης γενιάς 10nm-class 8Gb DDR4 DRAM chips της εταιρείας, τα νέα (2ης γενιάς 10nm-class 8Gb DDR4) DRAM chips έρχονται με 30% αύξηση παραγωγικότητας, 10% υψηλότερες επιδόσεις και 15% καλύτερη ενεργειακή απόδοση. Έτσι, η νέα 8Gb DDR4 θα μπορεί να λειτουργεί στα 3.600 Mbps, αντί στα 3.200 Mbps που λειτουργούσαν τα μέχρι σήμερα 1x-nm 8Gb DDR4 DRAM chips της εταιρείας. Όλα αυτά χωρίς τη χρήση EUV τεχνολογίας (Extreme ultraviolet lithography process), αλλά χάρη σε μια προηγμένη τεχνολογία σχεδιασμού κυκλώματος της Samsung, Μία καινοτόμος διαδικασία η οποία περιλαμβάνει τη χρήση ενός υψηλής ευαισθησίας συστήματος αισθητήρων κυψελών δεδομένων (cell data) και ενός προοδευτικού συστήματος διαχωρισμού αέρα (air spacer scheme). Καθώς οι παραπάνω τεχνολογίες είναι πλέον εφαρμόσιμες και για μαζική παραγωγή, αυτό σημαίνει πως ο μεγάλος σκόπελος της αρνητικής επίδρασης του ανεπιθύμητου φορτίου (parasitic capacitance) μεταξύ των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων ή των τμημάτων/μερών αυτών έχει πλέον ξεπεραστεί και ανοίγει ο δρόμος για ακόμα μικρότερες λιθογραφίες. Σε αυτό το πλαίσιο η Samsung επιταχύνει τα πλάνα της για ακόμα γρηγορότερα DRAM chips και συστήματα, τα οποία θα περιλαμβάνουν DDR5, HBM3, LRDDR5 και GDDR6 interfaces για ευρεία χρήση (enterprise servers, κινητές συσκευές, supercomputers, HPC συστήματα και κάρτες γραφικών). Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
  2. Στο πλαίσιο μιας εκδήλωσης επενδυτών, η Rambus Inc. αναφέρθηκε στο μέλλον. Εν τω μεταξύ το αυτοαποκαλούμενο “Patenttroll” group (ομάδα διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας), σκοπεύει σε μελλοντική αύξηση του κύρους του, με νέες τεχνολογίες στο τομέα της αποθήκευσης όπου τα DDR5 και HBM3 interfaces βρίσκονται στην κορυφή της λίστας του. Στη στροφή της χιλιετίας, η Rambus ήταν ένας από τους πρωτοπόρους αρχιτεκτονικής και τεχνολογίας προηγμένης αποθήκευσης, με εταιρείες κολοσσούς στη βιομηχανία της DRAM, όπως η Samsung, η SK Hynix και η Micron, αλλά και τεχνολογιών chip και SoC, όπως η Qualcomm και η Nvidia, και φυσικά η AMD, η Intel και η IBM, καθώς και πολλές άλλες εταιρείες, να εξακολουθούν να πληρώνουν στην Rambus για τη χρήση αυτής της τεχνογνωσίας (know-how). Αν και ο υπόψη τομέας δεν αποτελεί μεγάλο μερίδιο των κερδών της εταιρείας, ωστόσο οι αυξημένες απαιτήσεις στο πεδίο των servers και των data centers έχει προσελκύσει τη Rambus, όχι μόνο ως προς την ανάπτυξη βασικών τεχνολογιών (know-how), αλλά και ως προς την κατασκευή προϊόντων. Η ανάπτυξη του DDR5 έχει μεγαλύτερη εξέλιξη (αναμένεται να πιστοποιηθεί εντός του 2018), με τη Rambus να αναφέρει από τον Σεπτέμβριο πως διαθέτει λειτουργικό πυρίτιο (functional silicon) για DDR5, το οποίο βρίσκεται στο στάδιο των δοκιμών. Τα νέα memory Interfaces (ΗΒΜ3 και DDR5) αναμένεται να έχουν διπλάσιες ταχύτητες από τις σημερινές εκδόσεις τους και αναμένουμε να τα δούμε μάλλον μετά από 2 έτη καθώς σύμφωνα με τη Rambus η κατασκευή και των δύο τύπων interface (HBM3 and DDR5) θα γίνει στα 7nm. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
  3. [NEWS_IMG=Λεπτομέρειες και για τις HBM3 από τις SK Hynix & Samsung]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general6.jpg[/NEWS_IMG] Στο Hot Chips Symposium που διεξάγεται στο Coupertino μεγάλοι κατασκευαστές μοιράζονται ακόμη περισσότερες λεπτομέρειες για επερχόμενα προϊόντα στον χώρο των μνημών. Εκτός από τις χαμηλού κόστους HBM που ετοιμάζουν οι SK Hynix και Samsung, δύο αρκετά μεγάλοι κατασκευαστές επεξεργαστών, volatile και non-volatile μνημών για πρακτικά κάθε χρήση, αποκαλύπτονται μερικά στοιχεία για τον επερχόμενο τύπο HBM3 ο οποίος θα παρουσιαστεί κάποια στιγμή στο μέλλον. Η νέα γενιά που θα ακολουθήσει τις HBM2 - τις οποίες για την ώρα περιμένουμε υπομονετικά - θα βελτιωθεί σημαντικά από άποψης πυκνότητας, bandwidth, κόστους, ενεργειακή απόδοσης και πολλών ακόμη. Στην τρίτη έκδοση της τεχνολογίας, αναμένεται να αυξηθεί και ο αριθμός των stacks ανά chip, ξεπερνώντας τα 8 stacks των HBM2. Για περισσότερα στοιχεία, αξίζει να ρίξουμε μια ματιά στον πίνακα που είχε δημοσιεύσει η Samsung στο IDF 2016 δείχνοντας ορισμένες από τις βελτιώσεις σε "easy to read φορμάτ". Τέλος, η τρίτη έκδοση της τεχνολογίας High Bandwidth Memory αναμένεται κάποια στιγμή μέσα στο 2019 ή το 2020. [img_alt=Λεπτομέρειες και για τις HBM3 από τις SK Hynix & Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68678.png[/img_alt] [img_alt=Λεπτομέρειες και για τις HBM3 από τις SK Hynix & Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68679.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...