Search the Community

Showing results for tags 'lpddr4'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • HWBOX | Main
  • HWBOX | Forum
    • HwBox.gr Ανακοινώσεις & Ειδήσεις
    • News/Ειδήσεις
    • Reviews
    • The Poll Forum
    • Παρουσιάσεις μελών
  • Hardware
    • Επεξεργαστές - CPUs
    • Μητρικές Πλακέτες - Motherboards
    • Κάρτες Γραφικών - GPUs
    • Μνήμες - Memory
    • Αποθηκευτικά Μέσα - Storage
    • Κουτιά - Cases
    • Τροφοδοτικά - PSUs
    • Συστήματα Ψύξης - Cooling
    • Αναβαθμίσεις - Hardware
  • Peripherals
    • Οθόνες
    • Πληκτρολόγια & Ποντίκια
    • Ηχεία - Headsets - Multimedia
    • Internet & Networking
    • General Peripherals
  • Overclocking Area
    • HwBox Hellas O/C Team - 2D Team
    • HwBox Hellas O/C Team - 3D Team
    • Hwbot.org FAQ/Support
    • Benchmarking Tools
    • General Overclocking FAQ/Support
    • Hardware Mods
  • Software Area
    • Operating Systems
    • Drivers Corner
    • General Software
    • General Gaming
  • The Tech Gear
    • Mobile Computing
    • Smartphones
    • Tablets
    • Digital Photography & Cameras
  • Off Topic
    • Free Zone
    • XMAS Contest
  • HWBOX Trade Center
    • Πωλήσεις
    • Ζήτηση
    • Καταστήματα & Προσφορές

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


About Me


Location


Homepage


Interests


Occupation


ICQ


AIM


Yahoo


MSN


Skype


CPU


Motherboard


GPU(s)


RAM


SSDs & HDDs


Sound Card


Case


PSU


Cooling


OS


Keyboard


Mouse


Headset


Mousepad


Console


Smartphone


Tablet


Laptop


Camera


Drone


Powerbank

Found 7 results

  1. [NEWS_IMG=Έφτασε η ώρα για 6GB RAM σε smartphones!]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Η νέα κατασκευαστική μέθοδος της Samsung αυξάνει την εγκατεστημένη RAM που θα έχουν τα μελλοντικά smartphones. Η Samsung ξεκίνησε την ανάπτυξη των νέων volatile 12Gb LPDDR4 DRAM οι οποίες θα βρεθούν σε μια τεράστια γκάμα φορητών συσκευών όπως tablet και smartphones ενώ θα συνεχίζουν να κατασκευάζονται στα 20nm. Η πυκνότητα είναι σημαντικά αυξημένη από τα 8Gbit του σήμερα τα οποία έρχονται με 3 και 4GB συνολικής μνήμης κάτι που σημαίνει ότι μπορούν να χρησιμοποιηθούν 3 ή 4 chips σε κάθε χωρητικότητα αντίστοιχα. Η νέα τεχνολογία επιτρέπει σε ένα μόνο chip να "χωρέσει" 1.5GB και έτσι αναμένεται να δούμε smartphones με 6GB RAM που αποτελείται από τέσσερα τέτοια chip για ομαλότερο multitasking. Παράλληλα, εκτός από τα προφανή όπως η αύξηση των εφαρμογών που μπορούμε να τρέξουμε παράλληλα, η Samsung αναφέρει πως βελτιώσεις θα υπάρξουν και στη ταχύτητα των νέων chip και θα φτάσουν τα 34Gbps σε bandwidth σε έναν δίαυλο με εύρος 64-bit και ένα από τα λειτουργικά που έχει "γραφτεί" με γνώμονα την παραπάνω αρχιτεκτονική είναι το Android 5 Lollipop. [img_alt=Έφτασε η ώρα για 6GB RAM σε smartphones!]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture52126.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  2. [NEWS_IMG=HTC One M9 Teardown από το γνωστό iFixit]http://www.hwbox.gr/images/news_images/htc.jpg[/NEWS_IMG] Ας δούμε τι περιέχει μέσα η νέα συσκευή της HTC, μέσα από το σχετικό teardown του iFixit. Μια από τις πιο ακριβές συσκευές της HTC πέφτει στα χέρια του γνωστού iFixit το οποίο έκανε το smartphone κομματάκια αποκαλύπτοντας τον εσωτερικό του κόσμο. Συγκεκριμένα η μητρική του τηλεφώνου έχει σχετικά μεγάλο μέγεθος ειδικά εάν το συγκρίνουμε με άλλες συσκευές της αγοράς και επάνω της βρίσκουμε το Snapdragon 810 SoC της Qualcomm (κόκκινο). Ο επεξεργαστής, συνοδεύεται από 3GB RAM της Samsung τύπου LPDDR4 (πάλι στο κόκκινο τετράγωνο) καθώς και eMMC NAND στα 32GB της ίδιας εταιρείας (πορτοκαλί πλαίσιο). Η λύση της Broadcom BCM4356 εφοδιάζεται τόσο με WiFi ac όσο και με Bluetooth 4.1, ενώ υπάρχουν και πολλά ακόμα ολοκληρωμένα που φροντίζουν για την εξωτερική επικοινωνία του M9. Τo iFixit βρήκε, πως το One M9 χρησιμοποιεί τον ελεγκτή αφής Synaptics S3351B, τον ελεγκτή NXP 47803 NFC. Όμως, σύμφωνα με την αναφορά του iFixit, το M9 είναι το ίδιο δύσκολο στην επισκευή με το παλιότερο M8 καθώς η οθόνη του έχει έναν περίεργο τρόπο που βγαίνει δίνοντάς του ένα 2 στα 10 (το 10 σημαίνει ότι είναι ευκολότερο στην επισκευή), ενώ αξίζει να σημειωθεί, ότι η HTC συνοδεύει τη συσκευή της από το πρόγραμμα επισκευής "Uh-Oh" που όμως ισχύει μόνο για την αγορά των ΗΠΑ. [img_alt=HTC One M9 Teardown από το γνωστό iFixit]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture44204.png[/img_alt] [img_alt=HTC One M9 Teardown από το γνωστό iFixit]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture44207.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  3. [NEWS_IMG=Η Samsung αποκαλύπτει τον Exynos 7 στα 14 FinFET]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung4.jpg[/NEWS_IMG] Ο νέος οκταπύρηνος επεξεργαστής της εταιρείας χρησιμοποιεί μια από τις πιο προηγμένες λιθογραφίες που υπάρχουν. Ο νέος Exynos 7 θα εμπεριέχεται όπως όλα δείχνουν στο επερχόμενο Galaxy S6 και εκτός από μερικά benchmarks και φήμες, σήμερα το τοπίο ξεκαθαρίζει από την ίδια την Samsung. Ο επεξεργαστής θα εξοπλίζεται με τέσσερις Cortex A57 χρονισμένους στα 2,1GHz καθώς και άλλους τέσσερις Cortex A53 με τη συνοδεία LPDDR4 μνήμης. Αυτό που θα περιμένουμε από το SoC είναι περίπου 20% αυξημένες επιδόσει και 35% χαμηλότερη κατανάλωση, ενώ υπάρχει αναφορά για 30% αυξημένη παραγωγικότητα που πιθανότατα αναφέρεται στο performance per watt ratio. Αν και δεν αναφέρεται πουθενά ποιος τύπος των 14nm θα χρησιμοποιηθεί λέγεται ότι θα κατασκευάζεται με την τεχνική 14LPE που εστιάζει περισσότερο στην κατανάλωση και στη μειωμένη ενέργεια, παρά στους υψηλούς χρονισμούς. [img_alt=Η Samsung αποκαλύπτει τον Exynos 7 στα 14 FinFET]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture41452.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  4. [NEWS_IMG=Qualcomm Snapdragon(s): Μια ματιά στα επερχόμενα SoC]http://www.hwbox.gr/images/news_images/qualcomm.jpg[/NEWS_IMG] Με ημερομηνία άφιξης τα τέλη του 2015. Διέρρευσε roadmap της Qualcomm το οποίο εμφανίζει ανάμεσα σε άλλους, και τον high end Snapdragon 820, ένα SoC που θα κατασκευάζεται στα 14nm FinFET της Samsung ή της GlobalFoundries όπως φαίνεται στο δεύτερο screenshot και θα εξοπλίζεται με τον 8-πύρηνο TS2 στα 64-bit ο οποίος είναι σχεδιασμένος πιθανότατα από την ίδια την Qualcomm. Παράλληλα θα λειτουργεί σε συνδυασμό με LPDDR4 RAM και θα υποστηρίζει συνδεσιμότητα LTE-A Cat. 10. Το υποσύστημα γραφικών θα αναλάβει η Adreno 530 GPU. Πηγαίνοντας στην mainstream αγορά, βρίσκουμε τον Snapdragon 815 ο οποίος είναι επίσης 8 πύρηνος big.LITTLE αρχιτεκτονικής αποτελούμενος από τέσσερις πυρήνες TS1i και τέσσερις TS1, συνοδεύεται από την Adreno 450 GPU αλλά και από LPDDR4 ελεγκτή μνήμης και υποστήριξη δικτύων LTE-A Cat. 10, ενώ θα κατασκευάζεται στη λιθογραφία των 20nm. Στα κατώτερα στρώματα θα έρθουν οι Snapdragon 625 και Snapdragon 629 οι οποίοι παρόλο που θεωρούνται low end, θα εξοπλίζονται με 8 πυρήνες Cortex A53 και τους custom 'Taipan' επεξεργαστές της Qualcomm με τους τελευταίους να λειτουργούν από τα 2.0GHz έως τα 2.5GHz και αποτελούν τις τελευταίες λύσεις που θα προσφέρει η Qualcomm για το δεύτερο μισό του 2015. Τέλος οι εν λόγω επεξεργαστές θα κάνουν χρήση των Adreno 418 και Adreno 408 chip γραφικών και θα υποστηρίζουν δίκτυα LTE-A Cat 10 καθώς και τις υπάρχουσες LPDDR3 μνήμες Flash [img_alt=Qualcomm Snapdragon(s): Μια ματιά στα επερχόμενα SoC]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture40357.jpg[/img_alt] [img_alt=Qualcomm Snapdragon(s): Μια ματιά στα επερχόμενα SoC]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture40358.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  5. [NEWS_IMG=Samsung: Ξεκινά την παραγωγή LPDDR4 Mobile RAM]http://www.hwbox.gr/images/metro/news_images/samsung.png[/NEWS_IMG] Χαρμόσυνα νέα από την Samsung, καθώς ξεκινά την παραγωγή LPDDR4 RAM για φορητά συστήματα. Η γνωστή Κορεάτικη εταιρεία ξεκινά επίσημα την παραγωγή των LPDDR4 RAM για Mobile συστήματα, συνοδεύοντάς την με το σχετικό press release. Οι νέες μνήμες των 20nm θα βρουν στέγη σε high end mobile συσκευές όπως tablets, smartphones αυξάνοντας τις επιδόσεις σε σχέση με τις LPDDR3. Παράλληλα η κατανάλωσή τους σε ρεύμα πέφτει δραστικά και συγκεκριμένα στα 1.1V, 100mv κάτω από τα 1.2V των desktop DDR4. Το I/O data rate των νέων RAM αγγίζει τα 3,200Mbps, το οποίο είναι σχεδόν δύο φορές ταχύτερο από τις τυπικές DDR3 που χρησιμοποιούμε στους υπολογιστές μας. Ταυτόχρονα, οι νέες 8Gb LPDDR4 θα έρχονται σε packages των 4GB, ενώ μιας και θα εμφανιστούν στην CES 2015, έλαβαν και το βραβείο Καινοτομίας στις "Ενσωματωμένες Συσκευές" από την επιτροπή της έκθεσης. Οι LPDDR4 μπορούν να υποστηρίξουν εγγραφή και αναπαραγωγή UHD βίντεο καθώς και ταυτόχρονη αποθήκευση φωτογραφιών πάνω από 20 megapixels. [img_alt=Samsung: Ξεκινά την παραγωγή LPDDR4 Mobile RAM]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums321-picture39088.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  6. [NEWS_IMG=Η JEDEC αποκαλύπτει τα specs για τις LPDDR4]http://www.hwbox.gr/images/news_images/general2.jpg[/NEWS_IMG] Η JEDEC αποκάλυψε πληροφορίες για τις νέες μνήμες χαμηλής κατανάλωσης που θα βρουν στέγη σε φορητές συσκευές. Ο γνωστός οργανισμός ανάπτυξης ανοικτών στάνταρ JEDEC ανακοίνωσε τα χαρακτηριστικά των μνημών χαμηλής κατανάλωσης Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) τα οποία ενδείκνυται για χρήση σε φορητές συσκευές, όπου η κατανάλωση ενέργειας αποτελεί σημαντικό παράγοντα για την αύξηση της αυτονομίας. Σύμφωνα με τα specs, οι μνήμες θα έρχονται σε dual channel και το I/O throughput τους αγγίζει τα 3200 MT/s, ανεβαίνοντας μέχρι τα 4266 MT/s. Οι μνήμες λειτουργούν στα 1.1V (από 1.2v που είναι το επίσημο για τις desktop DDR4). Παράλληλα έχουν γίνει μεγάλα βήματα στην περαιτέρω μείωση της κατανάλωσης με το βελτιωμένο I/O signaling που απαιτεί μόλις 367 έως 440mV το οποίο είναι σχεδόν 50% χαμηλότερο από τις αντίστοιχες LPDDR3. Τέλος, για την κατανόηση των αλλαγών,η JEDEC θα φιλοξενήσει το LPDDR4 Workshop στην Santa Clara, CA στις 23 Σεπτεμβρίου, 2014. Κύρια χαρακτηριστικά: Two-channel architecture Internal Vref supplies for CA and DQ Data Bus Inversion (DBI-DC) ODT for CA and DQ I/O throughput: 3200 MT/s, rising to 4266 MT/s Signaling voltage: 367mV or 440mV Operating voltage: 1.1V Pre-fetch size: 32B per channel Topology: Point to point, PoP, MCP Max I/O capacitance: 1.3pF Write leveling 6-pin SDR CA bus CA training (12 pins per two channels) As with previous low-power DRAM generations, LPDDR4 does not require a delay-locked loop (DLL) or phase-locked loop (PLL) [img_alt=Η JEDEC αποκαλύπτει τα specs για τις LPDDR4]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums460-picture32310.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
  7. [NEWS_IMG=H σειρά Snapdragon 800 περνάει στα 64bit]http://www.hwbox.gr/images/news_images/qualcomm.jpg[/NEWS_IMG]Με τις δύο πρώτες εκδόσεις να είναι οι Snapdragon 808/810. Ακόμα ένα νέο μέλος στην οικογένεια των Snapdragon περνάει στα 64bit και αυτή την φορά θα είναι οι δυνατές εκδόσεις Snapdragon 808 και 810. Όπως όμως και με τα προηγούμενα μοντέλα που έχουν ανακοινωθεί για τα 64bit, οι δύο νέοι Snapdragon 808 και 810 θα βασίζονται σε σχέδια της ARM αντί για μία custom αρχιτεκτονική, (Krait) από την Qualcomm, η οποία αναμένεται να ανακοινωθεί μέσα στο 2014. Οι νέοι λοιπόν Snapdragon 808 και 810, αντίθετα από τα μικρότερα μοντέλα 410, 610/615 που βασίζονται απλά στον πυρήνα Cortex A53 της ARM, θα ακολουθήσουν τον big.LITTLE σχεδιασμό και θα προσφέρουν ταυτόχρονα και πυρήνες Cortex A53 και Cortex A57, που σύμφωνα με την εταιρία παρέχουν μέχρι 55% αύξηση στο IPC σε σχέση με τον τωρινό πυρήνα Cortex A15. Δυστηχώς αυτή η αύξηση των επιδόσεων έρχεται με 20% αύξηση στην κατανάλωση όταν τα τσιπ κατασκευάζονται στα 28nm αλλά η Qualcomm σχεδιάζει να κατασκευάσει τους Snapdragon 808 και 810 στα 20nm ώστε να την περιορίσει στο ελάχιστο. Ο Snapdragon 808 θα έρχεται με τέσσερις πυρήνες Cortex A53 και δύο Cortex A57 ενώ ο 810 θα έχει αντί για δύο, τέσσερις Cortex A57, ενώ και τα δύο SoCs θα μπορούν να λειτουργήσουν με όλους τους πυρήνες ταυτόχρονα χάρη στο Global Task Scheduling. Οι πυρήνες θα είναι χωρισμένοι σε δύο clusters των δύο/τεσσάρων πυρήνων (808) ή 4&4 στον 810, ενώ κάθε cluster θα μπορεί να λειτουργήσει με ξεχωριστή συχνότητα. Εκτός όμως από το CPU κομμάτι, βελτιωμένο θα είναι το το GPU μέρος, με τον 808 να χρησιμοποιεί την Adreno 418 GPU και τον 810 την Adreno 430. Αν και η Qualcomm δεν αποκαλύπτει περισσότερες πληροφορίες για τα χαρακτηριστικά τους, φαίνεται οτι η Adreno 418 θα είναι 20% πιο γρήγορη από την Adreno 330 και η Adreno 430, 30% πιο γρήγορη από την Adreno 420. Παράλληλα θα υπάρχει και η δυνατότητα HEVC/H.265 decode ενώ στον 810 θα υπάρχει και HEVC/H.265 encode καθώς και υποστήριξη για δύο οθόνες 4Kx2K, με τον 808 να περιορίζεται στα 2560 x 1600. Στον τομέα της μνήμης ο Snapdragon 808 θα έρχεται με ένα 64-bit LPDDR3-933MHz interface που προσφέρει 15GB/s bandwidth ενώ αντίθετα ο Snapdragon 810 θα έχει 64-bit LPDDR4-1600MHz interface με μέγιστο bandwidth 25,6GB/s Για την ώρα δεν είναι γνωστό πότε θα κυκλοφορήσουν τα δύο νέα SoCs, αλλά γνωρίζοντας οτι οι Snapdragon 410 και 610/615 έρχονται το τρίτο και τέταρτο τρίμηνο του 2014, υπολογίζεται να δούμε τους 808/810 το πρώτο μισό του 2015. [img_ALT=H σειρά Snapdragon 800 περνάει στα 64bit] http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture24979.png[/img_ALT][img_ALT=H σειρά Snapdragon 800 περνάει στα 64bit]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture24980.png[/img_ALT] [img_ALT=H σειρά Snapdragon 800 περνάει στα 64bit]http://www.hwbox.gr/members/4651-albums357-picture24981.png[/img_ALT] Διαβάστε περισσότερα εδώ....