Boton

Elpida Memory: Ξεκίνησε αποστολές δειγμάτων της μικρότερης DDR3 SDRAM 2-gigabit.

Recommended Posts

[NEWS_IMG=Elpida Memory: Ξεκίνησε αποστολές δειγμάτων της μικρότερης DDR3 SDRAM 2GB.]http://www.hwbox.gr/images/imagehosting/1354b7ee9c46d586.jpg[/NEWS_IMG] H Elpida Memory Inc, ο κύριος προμηθευτής από την Ιαπωνία των συστημάτων Dynamic Random Access Memory (SDRAM), ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε τις αποστολές δειγμάτων του νέου της 2-gigabit DDR3 SDRAM προσαρμοσμένα για χρήση σε καταναλωτικά ηλεκτρικές συσκευές (κωδικά ονόματα: EDJ2116DEBG και EDJ2108DEBG). H νέα αυτή SDRAM είναι η μικρότερη 2-gigabit DDR3 της βιομηχανίας και υποστηρίζει περιβάλλον λειτουργίας x16-bit I/O.

Η νέα 2-gigabit DDR3 SDRAM ικανοποιεί υψηλές ταχύτητες DDR3-1600 (1600Mbps), μοντέλο που πρόκειται να αποτελέσει το κυρίαρχο mainstream μοντέλο μνημών το 2011, με 1.35V για καλύτερη εξικονόμιση ενέργειας για την ταχύτητα DDR3L-1333 και είναι συμβατή με τις DDR3-Plus (απρόσκοπτη πρόσβαση BL4) για αναβάθμιση των καταναλωτικών ηλεκτρικών συσκευών.

Συγκρίνοντας τες με τα ήδη υπάρχοντα Elpida x16-bit I/O προϊόντα στη χρήση καταναλωτικών ηλεκτρικών συσκευών, η νέα SDRAM θα χρησιμοποιεί 30% λιγότερο ρεύμα και η χαμηλή τάση λειτουργίας 1.35V αυξάνει την ελκυστικότητά ως προϊόν φιλικό προς το περιβάλλον.

Product Features:

  • x16-bit/x8-bit I/O
  • DDR3-1600 high-speed access
  • 1.35V operation for DDR3L specification
  • DDR3-Plus (seamless BL4 access)
  • Data output buffer can be set to low output (RZQ/5)

Target applications:

  • Digital TV, BD players, BD recorders, set top boxes and other consumer electrical appliances
  • Tablet PCs

Ακολουθούμενη από την αποστολή δειγμάτων, η μαζική παραγωγή αναμένεται να ξεκινήσει το πρώτο τρίμηνο του CY 2011.

.

Link to comment
Share on other sites

ΔΔΡ4 μετα το '12

23080710.jpg

At a recent MemCon conference in Tokyo, Japan, Bill Gervasi, vice president of engineering at US Modular and a member of the JEDEC board of directors, revealed that the target effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz - 4266MHz, an increase from previously discussed frequencies. Apparently, JEDEC and memory manufacturers decided that the progress of DDR3 leaves no space for DDR4 data rates below 2133Mb/s.

The designers of DDR4 memory are looking forward 1.2V and 1.1V voltage settings for the new memory type and are even considering 1.05V option to greatly reduce power consumption of the forthcoming systems. It is expected that manufacturers of dynamic random access memory (DRAM) will have to use advanced fabrication technology to make the DDR4 chips. The first chips are likely to be made using 32nm or 36nm process technologies.

At present JEDEC expects to finalize the DDR4 specification in 2011 and start commercial production in 2012. Actual mass transition to the next-generation memory is projected to occur towards 2015.

sauce

Link to comment
Share on other sites

μαστα. οποτε δεν προλαβαινουμε το DDR5. ουτε καν το DDR4 δηλαδη... :handshake...

Μα όλα θα φύγουν . Ως γνωστόν το 2012 ο κόσμος θα καταστραφεί :hehe:
Link to comment
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now