Search the Community
Showing results for tags 'micron'.
-
Η Micron ανακοίνωσε πληροφορίες σχετικά με τις μελλοντικές μνήμες των GPUs. Σε μια τεχνική ενημέρωση που δημοσιεύτηκε στον ιστότοπό της, με την ονομασία «The Demand for Ultra-Bandwidth Solutions», η Micron παρουσίασε λεπτομερώς το portofolio των high-bandwidth τεχνολογιών και τις ανάγκες της αγοράς για αυτές. Οι πληροφορίες αυτές συνδέονται με άλλες, ακόμα μη δημοσιευμένες τεχνικές ενημερώσεις της Micron που αφορούν το GDDR6X, τον τύπο μνήμης που όπως όλα δείχνουν θα βρεθεί στις επερχόμενες NVIDIA RTX 30 Series GPUs. Ωστόσο, το έγγραφο με τις πληροφορίες προέρχεται απευθείας από τους δημόσιους webservers της Micron. Η βασική καινοτομία για το νέο GDDR6X φαίνεται να είναι αλλαγή κωδικοποίησης από NRZ με δύο signal states, σε κωδικοποίηση τεσσάρων signal states με τη μορφή Pulse-Amplitude Modulation 4 (PAM4). Εν ολίγοις, η Micron θα διπλασιάσει τον αριθμό των signal states στο GDDR6X, επιτρέποντας διπλάσια δεδομένα ανά κύκλο ρολογιού. Το ίδιο το PAM4 δεν είναι μια νέα τεχνολογία μιας και έχει χρησιμοποιηθεί ήδη σε άλλες high-end συσκευές, κυρίως όμως σε networking και expansion buses. Για να ενσωματωθεί η τεχνολογία σε μια κάρτα γραφικών, πέρα από τις μνήμες της Micron, απαιτείται και ένα αντίστοιχο memory controller, στη προκειμένη περίπτωση από την NVIDIA. Σύμφωνα με τη σύντομη περιγραφή της Micron, αναμένονται έως και 21Gbps per pin για το GDDR6X και πρόκειται για αρχικά νούμερα που επηρεάζονται από τους περιορισμούς των PAM4 και DRAM και δεν γνωρίζουμε ακόμα με ποιον τρόπο θα επιτευχθούν στην πράξη. Ένα από τα έμμεσα πλεονεκτήματα του PAM4 είναι και η κατανάλωση ενέργειας. Η πολυπλοκότητα του PAM4 καταναλώνει ενέργεια με διαφορετικούς τρόπους από τους ήδη υπάρχοντες, αλλά είναι πιο αποτελεσματική τεχνολογία. Σύμφωνα με την Micron το GDDR6X θα καταναλώνει λιγότερη ενέργεια ανά bit που μεταδίδει, περίπου 7,25 picojoules/byte. Αφού τα νούμερα αναφέρονται σε απόδοση ανά byte, σημαίνει ότι η πραγματική κατανάλωση ενέργειας είναι συνάρτηση του bandwidth με αποτέλεσμα οι GDDR6X να είναι λίγο πιο αποδοτικές στη πράξη και ταυτόχρονα πολύ πιο γρήγορες. Δεδομένης της πρόωρης φύσης της κυκλοφορίας του, δεν είναι σαφές εάν οι GDDR6X βασίζονται σε κάποιο από τα πρότυπα του JEDEC ή εάν η Micron έχει πράγματι αναπτύξει το δικό της πρότυπο μνήμης με κίνητρο τις νέες GPUs της NVIDIA. Όσο για αυτά που ακούγονται για την RTX 3090, θα έρχεται με 12GB GDDR6X και 384-bit memory bus. Αυτή η μνήμη θα βρίσκεται κάπου μεταξύ 19Gbps και 21Gbps, με μέγιστο bandwidth στα 1008GB/sec, τουλάχιστον 36% περισσότερο από την RTX 2080 Ti. Για την ώρα απέχουμε μερικές ημέρες από την RTX 3090, οπότε αναμένουμε περισσότερες πληροφορίες σύντομα. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
- 2
-
-
- double bandwidth
- rtx 3090
- (and 4 more)
-
Οι μνήμες που θα 'αντικαταστήσουν' τις B-Die της Samsung στην αρένα της overclocking σκηνής είναι κατασκευής Micron, ενώ Φίλιππος και Σταύρος καταφέρνουν μια παγκόσμια πρωτιά. Το συγκεκριμένο ρεκόρ πάρθηκε με Ballistix μνήμες της Crucial μια εταιρία που βρίσκεται στη κατοχή της Micron και χρησιμοποιεί εδώ και χρόνια δικά της DRAM chips, τα οποία όμως δε διακρίνονταν για τις δυνατότητες στο overclocking. Όπως φαίνεται τα νέα E-Die chips της Micron (δεν σχετίζονται με τα αντίστοιχα της Samsung) βρίσκονται στο kit των Ballistix Elite 3600MT/s (MHz) που έλαβαν οι δύο Έλληνες overclockers της ομάδας μας και έχουν αρκετά εντυπωσιακή απόδοση στο overclocking φτάνοντας τη θεαματική συχνότητα των 5726MHz, η οποία καταγράφτηκε στο σχετικό CPU-Z validation (2863 MHz). Το σύστημα περιελάμβανε έναν Core i7 8086K μαζί με μια μητρική ROG MAXIMUS XI APEX της ASUS η οποία φέρει το νεότερο Z390 chipset της Intel. Τόσο οι μνήμες όσο και το CPU ψύχονταν από υγρό άζωτο για την επίτευξη αυτού του αποτελέσματος και έτσι, οι δύο overclockers βρίσκονται στη κορυφή της παγκόσμιας κατάταξης και με σημαντική διαφορά 50MHz από τη δεύτερη θέση. Η Crucial εξέδωσε και δελτίο τύπου στο οποίο επισημαίνει μερικά στοιχεία των μνημών, ενώ τμήματά του μπορείτε να διαβάσετε παρακάτω: Overclockers used the Ballistix Elite 3600MT/s to set a new overclocking record for the fastest DDR4 memory frequency at a blistering 5726MT/s. That’s 79 percent faster than the max JEDEC DDR4 speed of 3200MT/s and 115 percent faster than the 2666 MT/s considered mainstream today. This record is a big, big, (big, big) deal to us here at Ballistix. But we care just as much about how we earned the top mark. We’re proud that we were able to use the same CAS latency – CL24 – used by most of the previous record holders. In addition, we set the record using the same production module of the Ballistix Elite 3600 available to gamers today. The record was set May 13 by Stavros Savvopoulos and Phil Strecker from Overclocked Gaming Systems, using an Intel i7-8086K CPU, an ASUS Maximus XI Apex motherboard, as well as, of course, a liquid nitrogen cooling system.The veteran overclockers have tested other DRAM that was more finicky, requiring lower temperatures, Savvopoulos said, but the Elite 3600 broke the record without complaint. “We were blown away by how surprisingly easy it was to overclock these Ballistix Elite DDR4 3600MT/s modules,” Savvopoulos said. “Other modules we’ve overclocked can be temperamental and need to train at temperatures lower than the one required for stability; but we didn’t experience that with Micron’s E-die, which scaled much better with both extreme voltages and temperatures. Overall, it was easy enough to call the whole experience plug and play!” Ballistix gaming memory is engineered at the die level. The components used to create Ballistix memory are designed, built and tested in-house. Ballistix and Micron owe that degree of quality control to gamers, said Teresa Kelley, Vice President of Micron’s Consumer Products Group. That means that whether you’re using liquid nitrogen to overclock at 5000 MT/s or more, or if you’re a more cost-effective gamer using mainstream cooling at accelerated XMP profiles, the Ballistix 3600 will do the trick, straight out of the box. “Breaking this world record reinforces our commitment to the enthusiast community,” Kelley said. “Our Ballistix product lineup provides the high-speed, low-latency and overclock headroom that gamers, content creators, and enthusiasts crave. We will continue to focus on offering an exceptional high-performance memory and storage portfolio, with Micron, Crucial, and Ballistix engineers striving to deliver leading-edge technology that redefines the performance boundary.” DDR4 Memory Frequency Record - 2863MHz Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Δε πέρασαν παρά μόλις λίγοι μήνες από το προηγούμενο ρεκόρ τους και επιστρέφουν με τις ίδιες Ballistix μνήμες της Crucial/Micron. Το αποτέλεσμα αυτή τη φορά περιλάμβανε την X570 πλατφόρμα της AMD και τον Ryzen 5 3600X μέσω του οποίου έγινε δυνατό το εν λόγω αποτέλεσμα. Οι OGS (Overclocked Gaming Systems) που αποτελούνται από τον Σταύρο και τον Φίλιππο πραγματοποίησαν μια σειρά δοκιμών στο Micron Insight 2019 και το σημαντικότερο αποτέλεσμα που βγήκε από τη παρουσία τους εκεί ήταν το παγκόσμιο ρεκόρ συχνότητας μνήμης που επετεύχθη με τις Ballistix της Crucial/Micron γράφοντας 3027.2 MHz στο single data rate. Οι μνήμες φέρουν τα E die chips της Micron και χαρακτηρίζονται από τις υψηλές συχνότητες που μπορούν να τρέξουν σε οποιαδήποτε πλατφόρμα. Η μητρική στη περίπτωση των OGS ήταν η Crosshair VIII Impact που διαθέτει μόλις δύο memory slots και το αποτέλεσμα φέρνει στο δίδυμο στη κορυφή του κόσμου και με αρκετή διαφορά από τον 2o ενώ φυσικά η ψύξη των μνημών και του επεξεργαστή έγινε με υγρό άζωτο. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Οι νέες VENGEANCE LPX υπόσχονται έως 5000MHz σε συμβατές μητρικές με το AMD X570 chipset και κάποιον τρίτης γενιάς Ryzen επεξεργαστή. Με τη κυκλοφορία των νέων Ryzen, ένα από τα πρώτα πράγματα που έγιναν γνωστά ήταν οι συχνότητες στις οποίες μπορούσαμε να τρέξουμε τις μνήμες μας, με το ανώτατο όριο να αγγίζει και τα 5000MHz σε συγκεκριμένα memory sticks. Μέχρι πρότινος ήταν άλλες Ταϊβανέζικες εταιρίες, όμως τώρα είναι η σειρά της Corsair να λάμψει με τις δικές της VENGEANCE LPX των 5000MHz που προορίζονται για το X570 και αποτελούνται από δύο DIMMS των 8GB έκαστο. Μαζί με το memory kit η εταιρία δίνει μαζί και το VENGEANCE Airflow Fan, ένα σύστημα ενεργής ψύξης για τις μνήμες διασφαλίζοντας έτσι τις υψηλές επιδόσεις ακόμα και σε συνθήκες πλήρους φορτίου. Τα IC κάτω από τα heatspreaders είναι της Micron τα οποία θέτουν νέα όρια και στόχο έχουν να αναδείξουν τις επιδόσεις ενός συστήματος με Ryzen 3000 επεξεργαστή. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
- 1 reply
-
- vengeance lpx
- 5000mhz
-
(and 6 more)
Tagged with:
-
Μαζί με τις τρεις πιο σημαντικές εταιρίες στη κατασκευή DRAM, η Κίνα θα ρίξει μια 'δική της' εταιρία στην αγορά. Η κινέζικη εταιρία θα εξαρτάται από τα δικά της εργοστάσια και τη δική της σχεδίαση που αναφέρεται ως '10nm class' ωστόσο η πραγματική μέθοδος ολοκλήρωσης του κάθε chip είναι στα 18nm, την ίδια στιγμή που οι ανταγωνιστές της από τη Ν. Κορέα δημιουργούν chips στα 12 με 16nm. Η εταιρία που είναι υπεύθυνη για αυτό το έργο ονομάζεται Changxin Memory Technology και ιδρύθηκε το 2016 έχοντας έδρα στο Hefei στη Κίνα και στόχος της είναι να επεκταθεί στη μαζική παραγωγή DRAM chips. Σημειώνεται ότι η Κίνα ήταν αυτή που έναν χρόνο πριν ερευνούσε τις τρεις μεγαλύτερες εταιρίες του χώρου για πλασματικές τιμές στις DRAM προς αύξηση των κερδών τους. Αρχικά η κίνηση αυτή δε θα ταράξει τα νερά στο χώρο, όμως με τη 'φόρα' που έχουν αρκετές κινέζικες εταιρίες τελευταία ενδέχεται να αποτελέσει κίνδυνο (με 120.000 wafers το μήνα) για τις μεγάλες Samsung, SK Hynix και Micron, οι δύο πρώτες με έδρα τη Ν. Κορέα και η Micron με έδρα τις ΗΠΑ. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
- changxin memory technology
- memory
-
(and 5 more)
Tagged with:
-
Η Κίνα εναντιώνεται στο μονοπώλιο των Samsung, Micron, Hynix
MetallicGR posted a topic in IT Economy
Η Κινεζική αρχή για τη ρύθμιση της αγοράς συνεχίζει την εξέταση της μονοπωλιακής πολιτικής των μεγάλων εταιριών DRAM. Σύμφωνα με μια συνέντευξη του Wu Zenghou που ηγείται της έρευνας στη Financial Times αναφέρεται πως βρέθηκαν πολλές αποδείξεις κατά των τριών μεγάλων εταιριών στον χώρο των DRAM, Samsung, Hynix και Micron. Σημειώνεται ότι ήδη έχουν γίνει μεγάλα βήματα για την επαναφορά της τάξης στον συγκεκριμένο τομέα, εκεί όπου οι τρεις εταιρίες φαίνεται να πραγματοποιούν πλασματική διατήρηση των τιμών σε υψηλά επίπεδα προβάλλοντας διάφορους λόγους. Τον περασμένο Απρίλιο και οι τρεις εταιρίες κατηγορήθηκαν μάλιστα για αυτόν τον λόγο (price-fixing) στις ΗΠΑ και η εν λόγω έρευνα επιβεβαιώνει εν μέρει την ύπαρξή του φαινομένου σε παγκόσμιο επίπεδο. Η έρευνα έχει ξεκινήσει εδώ και αρκετό καιρό και πλέον μετά τις ΗΠΑ, αντίστοιχες κατηγορίες φαίνεται πως υπάρχουν και στη Κίνα, μια από τις μεγαλύτερες 'δυνάμεις' στον χώρο των ηλεκτρονικών - και πιστεύουμε πως η εναντίωση της Κινεζικής κοινότητας θα έχει μεγαλύτερο βάρος και αντίκτυπο στις κινήσεις των τριών μεγάλων εταιριών το προσεχές διάστημα. Πηγή. Βρείτε μας στα Social: -
Η NVIDIA αφαίρεσε την RTX 2080 Ti Founders Edition από το online store της κάτι που δημιούργησε σύγχυση, αλλά η εταιρία εξηγεί. Media του χώρου είδαν πριν από λίγες ώρες πως η RTX 2080 Ti Founders Edition εξαφανίστηκε από το online store της NVIDIA και οι πρώτες φήμες μιλούσαν για πιθανή ανάκληση όσων μονάδων βρίσκονται στην αγορά, και προσωρινή παύση των πωλήσεων μέχρι να διαλευκανθούν τα προβλήματα που ταλαιπωρούν αρκετούς χρήστες μέχρι σήμερα. Η NVIDIA, ήρθε λίγο αργότερα να διαψεύσει τις φήμες περί ανάκλησης λέγοντας πως απλά η κάρτα τέθηκε out of stock, χωρίς όμως κάτι τέτοιο να δικαιολογεί την αφαίρεσή της από το κατάστημα αντί για την προσθήκη του κατάλληλου out of stock badge που μπαίνει συνήθως. Όσον αφορά τα προβλήματα, άλλες πηγές δηλώνουν πως οι Founders Edition έχουν πλέον μια πιο σκούρα συσκευασία από πριν, κάτι που ίσως υποδηλώνει νέο revision. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Micron και Cadence δημοσίευσαν μερικά στοιχεία για την ανάπτυξη του νέου τύπου μνήμης DDR5 που θα κληθεί κάποια στιγμή να αντικαταστήσει τις DDR4 του 2014. Η ανάπτυξη του νέου τύπου μνήμης αναπτύσσεται με κύρια προσοχή την αγορά των επαγγελματιών εκεί όπου απαιτούνται μεγάλα ποσά μνήμης. Από τα βασικά στοιχεία της νέας γενιάς σύμφωνα και με τις νέες πληροφορίες θα είναι η αύξηση στη πυκνότητα με την είσοδο νέων 16Gbit chips, που θα διπλασιάσουν τη χωρητικότητα των τωρινών μνημών ανά package. Η Cadence αναφέρει και μερικά συγκριτικά. Συγκρίνοντας DDR4 στα 3200MHz καθώς και DDR5 στα ίδια MHz υπάρχει μια αύξηση 1.36 φορές στις συνολικές επιδόσεις, ή 36%. Συνυπολογίζοντας ταυτόχρονα την αύξηση στη συχνότητα που θα επιφέρουν οι DDR5 (όπως τα 4800MHz που θα θεωρούνται κοινά) καθώς και τη μείωση της συνολικής κατανάλωσης που ενδιαφέρει περισσότερο data centers, η αύξηση στις επιδόσεις ενδέχεται να αγγίξει και τις 1.87 φορές έναντι της τωρινής γενιάς μνημών. Η διαθεσιμότητα αυτού του νέου τύπου σημειώνεται πως δε πρόκειται να ξεκινήσει πριν το 2020/21 και προϋποθέτει φυσικά την ύπαρξη κάποιας συμβατής γενιάς επεξεργαστών και πλατφορμών. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Η Κορεάτικη εταιρία θα βρει τρόπους να αυξήσει τις τιμές των DRAM και να μεγιστοποιήσει τα κέρδη της απλά περιορίζοντας την παραγωγή. Σύμφωνα με αναλυτές της αγοράς η Samsung είναι ικανοποιημένη με το μονοπώλιο της (η πηγή αναφέρεται σε μια λέξη εφάμιλλη με το καρτέλ) και όπως όλα δείχνουν θα ελαχιστοποιήσει την παραγωγή DRAM οδηγώντας σε μικρότερη διαθεσιμότητα και υψηλές τιμές, κάτι που θα προτιμήσει έναντι των χαμηλών τιμών και του μεγαλύτερου μεριδίου αγοράς. Εδώ και αρκετούς μήνες οι τιμές των μνημών έχουν επανέλθει σε αρκετά χαμηλά επίπεδα και επιτρέπουν πιο εύκολα την αγορά ενός μοντέρνου συστήματος. Αντίστοιχα και οι τιμές των καρτών γραφικών βρίσκονται σε χαμηλά επίπεδα εδώ και καιρό κάνοντας το στήσιμο ενός νέου build ακόμη πιο εύκολη για τον περισσότερο κόσμο. Η κίνηση της Samsung εάν εν τέλει πραγματοποιηθεί, θα δώσει τη δυνατότητα στους ανταγωνιστές της, στην Micron και τη SK Hynix να αυξήσουν το μερίδιο αγοράς τους προσπαθώντας να βελτιώσουν τη διαθεσιμότητα στην αγορά για όσο διαρκέσει το φαινόμενο. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Εξαιρετικά υψηλές ταχύτητες για τις επερχόμενες μνήμες που θα στελεχώσουν τις κάρτες γραφικών του μέλλοντος! Η Micron, είναι η τρίτη σε πωλήσεις κατασκευάστρια εταιρία DRAM στον κόσμο και πριν από λίγες ώρες παρουσίασε τις πρώτες της GDDR6 τύπου DRAM οι οποίες θα βρεθούν μέσα στο έτος στις νέες κάρτες γραφικών της αγοράς. Πρόκειται για την εξέλιξη των τωρινών GDDR5X με ταχύτητες που θα ξεκινούν από τα 16.5Gbps με δυνατότητα να φτάσουν και τα 20Gbps με τη βοήθεια του overclocking. Υπολογίζοντας έτσι το θεωρητικό bandwidth, σε μια GPU με το τυπικό πλέον εύρος διαύλου των 256-bit, θα ξεπεράσει τα 500GB/s και ίσως φτάσει τα 670GB/s όταν οι ταχύτητες αγγίξουν τα 20Gbps. Συνολικά, οι GDDR6 θα τρέχουν σε ακόμη πιο υψηλούς χρονισμούς, θα προσφέρουν ακόμη μεγαλύτερο bandwidth ενώ θα απαιτούν και λιγότερη ενέργεια για να λειτουργήσουν, ξεκλειδώνοντας έτσι τις επιδόσεις των μελλοντικών καρτών γραφικών. Αξίζει να αναφέρουμε πως αρχιτεκτονικές όπως η Pascal της NVIDIA ευνοείται αρκετά από τους υψηλούς χρονισμούς στις μνήμες, οπότε η εξέλιξη σε αυτόν τον τομέα ενδέχεται να βελτιώσει ακόμη περισσότερο τις επιδόσεις των GPUs στο μέλλον. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Η Κίνα είναι από τις χώρες που έχουν ίσως τη μεγαλύτερη κατανάλωση μνημών DRAM και έτσι πιέζει για καλύτερες τιμές όλες τις μεγάλες εταιρίες του χώρου. Αρχικά οι αρχές της Κίνας που φαίνεται πως έχουν τον έλεγχο των πραγμάτων έχουν ήδη επικοινωνήσει με εταιρίες όπως την Samsung αλλά και την Micron για την επίλυση των υψηλών τιμών που παρατηρούνται στις μνήμες DRAM. Λόγω της αυξημένης παραγωγής συσκευών με τις εν λόγω μνήμες, η Κίνα είναι από τις χώρες που έχει επηρεαστεί περισσότερο από την αύξηση που πλέον έχει φτάσει σε ασύλληπτους αριθμούς. Το Υπουργείο Εμπορίου της Κίνας και πιο ειδικά το γραφείο αντι-μονοπωλίου ετοιμάζεται να συναντηθεί με την τρίτη σε τζίρο εταιρία της αγοράς, την Micron που κατέχει ποσοστό 22.6% στην αγορά των DRAM. Αξίζει να αναφέρουμε πως η Samsung από την άλλη έχει την πρωτοκαθεδρία με ποσοστό 44.9% ενώ η Hynix είναι δεύτερη με ποσοστό 27%. Επισημαίνεται πως οι τιμές των μνημών είναι κατά πάσα πιθανότητα πλασματικές, αφού και στο παρελθόν είχε επιβληθεί πρόστιμο $300 εκ. τον ίδιο λόγο στη Samsung. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Το μέλλον είναι εδώ και η Micron σε συνεργασία με την Cadence δείχνουν το πρώτο DDR5 DIMM που τρέχει στα 4400MHz. Δύο κορυφαίες εταιρίες του χώρου, η Micron που σχεδιάζει μνήμες τύπου DRAM και η Cadence η οποία ειδικεύεται στην σχεδίαση controllers και διεπαφών σύνδεσης ανέπτυξαν ένα σύστημα για την δοκιμή των πρώτων DDR5 DIMMs. Η κατασκευή των πρώτων DRAM γίνονται από την TSMC στη λιθογραφία των 7nm με πυκνότητα 8Gb ανά chip καταφέρνοντας ταχύτητες 4400 megatransfers ανά δευτερόλεπτο που είναι περίπου 37.5% ταχύτερα από τον κορυφαία μέχρι στιγμής DDR4 μνήμη της αγοράς. Όσον αφορά τα specs, αξίζει να αναφέρουμε πως το demo έτρεχε με CAS latency 42 ns ενώ λειτουργούσε με τάση 1.1 volt, ένας αριθμός που για τη συχνότητα είναι αρκετά εντυπωσιακός στη γενιά των τωρινών DDR4. Η Cadence που ανέπτυξε τον ελεγκτή και την διεπαφή του συστήματος αναφέρει πως ταχύτητες μέχρι και τα 6400 megatransfers (ή MHz) θα είναι εφικτές στη πορεία της ανάπτυξης και με μνήμες διπλάσιας πυκνότητας από του demo (16Gb). Αντίστοιχα η εταιρία προβλέπει τα πρώτα συστήματα που θα βασίζονται στις DDR5 να έρθουν στην αγορά κάποια στιγμή μέσα στο 2019. Το διάγραμμα που παρατίθεται δείχνει την παραγωγή μνημών στην αγορά καθώς και τον αυξημένο ρυθμό υιοθέτησης των mobile DRAM από τους κατασκευαστές smartphones κάτι που έχει ωθήσει τις τιμές σε αρκετά υψηλά επίπεδα. Οι αυξημένες τιμές αποτελούν για αρκετούς το βασικό κίνητρο για την ανάπτυξη νέων τύπων όπως του DDR5 που βλέπουμε από την Micron. Η εταιρία JEDEC που είναι υπεύθυνη για την οριστικοποίηση των standards δεν αναμένεται να ολοκληρώσει την αξιολόγηση μέχρι και το καλοκαίρι του τρέχοντος έτους. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
- 2
-
-
- megatransfers
- dimms
-
(and 7 more)
Tagged with:
-
Σε δικαστήριο της Καλιφόρνια κατατέθηκε πριν από μερικές ημέρες αγωγή κατά των τριών εταιριών για τις τιμές των DRAM στην αγορά. Οι αυξημένες τιμές των τριών εταιριών έχουν επηρεάσει ολόκληρη την αγορά των μνημών (DRAM) και μια νέα αγωγή που κατατέθηκε προ λίγων ημερών σε δικαστήριο της Καλιφόρνια έρχεται να ταράξει λίγο τα νερά στο τοπίο. Η τελευταία φορά που είχε συμβεί κάτι ανάλογο στην Αμερική ήταν το 2006 με αφορμή και πάλι τις τιμές των DRAM, τον τύπο των μνημών που βρίσκεται σε όλες τις RAM που κυκλοφορούν σε πολλά προϊόντα όπως ηλεκτρονικούς υπολογιστές αλλά και smartphones. Επικαλούμενοι την αυξημένη ζήτηση στην αγορά των smartphones, οι τρεις εταιρίες αυξάνουν τις τιμές των μνημών μιας και υπάρχουν λιγότερες μονάδες για την desktop αγορά. Η νέα αγωγή που έγινε κατά των τριών εταιριών όμως αναφέρει πως αυτή η αύξηση γίνεται σκόπιμα και με μόνο κίνητρο την αύξηση του τζίρου τους εις βάρος φυσικά των καταναλωτών. Το πρόβλημα επιδεινώνεται όταν αντιλαμβανόμαστε σε πόσα προϊόντα βρίσκουμε DRAM. Πέρα από τις RAM που ήδη φαίνεται να κοστίζουν πολλά περισσότερα χρήματα απ' ότι στο παρελθόν, DRAM τοποθετούνται και στις κάρτες γραφικών, που σε συνδυασμό με την ζήτηση λόγω των cryptocurrencies διπλασίασαν τις τιμές τους φτάνοντας σε επίπεδα ρεκόρ. Το γραφείο Hagens Berman ισχυρίζεται πως οι τρεις εταιρίες, που αποτελούν το 96% της παγκόσμιας παραγωγής αυξάνουν σκόπιμα τις τιμές τους με σκοπό το επιπλέον κέρδος κάτι που όπως δείχνουν τα οικονομικά στοιχεία τους δείχνει να πετυχαίνει αφού και οι τρεις περιμένουν παραπάνω από τα διπλά έσοδα σε σχέση με το Q1 του 2016 και το Q3 του 2017. Η αγωγή μεταξύ άλλων αναφέρει: Defendants each made public statements affirming their commitment to the common plan to curtail supply, and to not compete for each other’s market share by supply expansion. For example, Defendants informed the other Defendants through public statements, that they would keep total wafer capacity flat in order to constrain DRAM supply growth, they would only grow DRAM supply between 15-20% in 2017, even as DRAM demand grew 20-25%, and that they would refrain from taking each other’s market share. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Με κέρδη κλείνει το τρίμηνο η Micron με τις μετοχές της να αυξάνονται κατά 2% και τα έσοδά της να βρίσκονται στα 1.6 δις δολάρια, 100 εκ. πάνω από τον αρχικό της στόχο. Στην άνοδο αυτή οφείλεται φυσικά η αύξηση στις τιμές των DRAM κάτι που επιφέρει αρνητικά αποτελέσματα στους τελικούς καταναλωτές που προμηθεύονται αντίστοιχα προϊόντα. Η αύξηση των τιμών όπως έχουμε αναφέρει και σε άλλα άρθρα προέρχεται από την αύξηση άλλων αγορών όπως για παράδειγμα τα smartphones τα οποία έχουν κατά κάποιο τρόπο αποσταθεροποιήσει τις τιμές των DRAM μιας και αντίστοιχου τύπου μνήμες χρησιμοποιούνται στο εσωτερικό τους από πολλούς OEMs. Μαζί με αυτές, τα smartphones χρησιμοποιούν και NAND Flash μνήμες κάτι που ωθεί και αυτές τις τιμές (εδώ πηγαίνουμε στους SSD) σε υψηλότερα επίπεδα. Τέλος, από τη στιγμή που η αγορά των smartphones δεν αναμένεται να συρρικνωθεί σύντομα, αν όχι καθόλου, οι τιμές των DRAM και των SSD θα παραμείνουν στα ίδια επίπεδα και στο μέλλον. Πηγή. Βρείτε μας στα Social:
-
Η enterprise αγορά αποκτά νέα παιχνίδια και οι admins τρίβουν τα χέρια τους μιας και η Micron ανακοίνωσε και επίσημα τη σειρά 5100 η οποία εφοδιάζεται με TLC 3D NAND Flash μνήμες. Όντας στη διάθεση της enterprise αγοράς και μόνο, τα μοντέλα που θα δούμε ξεκινούν από τα 240GB σε χωρητικότητα και φτάνουν μέχρι και τα άφθονα 7680GB ή αλλιώς 8TB αποθηκευτικού χώρου για πρακτικά κάθε απαίτηση! Τα drives χρησιμοποιούν το SATA 6Gb/s interface για την επικοινωνία τους με τον controller της μητρικής και υπόσχονται ταχύτητες ανάγνωσης 540 MB/s και εγγραφής από 250 έως και 520 MB/s ανάλογα φυσικά την έκδοση. Το highlight τους είναι οι νέες Micron 384Gb 32-layer 3D TLC μνήμες και ο 88SS1074 "Dean" controller της Marvell στον οποίο και συνδέονται. Η σειρά χωρίζεται από τα μοντέλα 5100 EVO, 5100 PRO και 5100 MAX, διαφοροποιώντας τα ελαφρώς στα specs τα οποία δανειζόμαστε από το AnandTech. Οι πρώτες δύο θα έρχονται σε M.2 form factor με ταχύτητες που θα τερματίζουν στο SATA III πρωτόκολλο ενώ η σειρά MAX θα έρχεται και σε μοντέλα 2.5". Πηγή.
-
- 1
-
-
- 3d tlc nand
- ssds
-
(and 3 more)
Tagged with:
-
Σύμφωνα με νέο έγγραφο βλέπουμε πως η Intel θα αναβαθμίσει τη σειρά των SSD της προσθέτοντας και την 610P. Οι συγκεκριμένοι με βάση τις πηγές του Benchlife θα έρχονται σε PCIe form factor κάτι που σημαίνει ότι θα τους δούμε και με τη μορφή M.2 με πλήρη υποστήριξη του πρωτοκόλλου σύνδεσης NVMe. Παράλληλα για μέγιστες επιδόσεις η Intel θα αξιοποιήσει τον δίαυλο PCIe gen 3.0 x4. Οι NAND Flash θα είναι πλέον 3D και triple cell και θα κατασκευάζονται από την IMFlash Technology, μια εταιρία που γεννήθηκε από την συνεργασία της Intel με τη Micron. Αξίζει να αναφέρουμε πως το έγγραφο περιλαμβάνει και τις διαθέσιμες χωρητικότητες των drives, οι οποίες θα ξεκινούν από τα 128 GB και θα συνεχίζουν στα 256 GB, 512 GB, 1 TB, φτάνοντας μέχρι και τα 2 TB. Η εταιρία θα διαθέσει επίσης και άλλη μια έκδοση του drive για μικρά συστήματα και laptops σε BGA μορφή όμως με χωρητικότητες που θα περιορίζονται στα 512GB. Τέλος, όσον αφορά τη κυκλοφορία τους, τα drives αναμένεται να κάνουν την εμφάνισή τους κάποια στιγμή στο Q4 του 2017. Πηγή
-
- 600p ssd
- tlc 3d nand
- (and 6 more)
-
[NEWS_IMG=Μνήμες GDDR6 το 2018 προβλέπει η Samsung]http://www.hwbox.gr/images/news_images/samsung.jpg[/NEWS_IMG] Μπορεί οι GDDR5X αποτελούν νέες μεταβατικές μνήμες τις οποίες έχει σχεδιάσει η Micron, όμως η Samsung έχει ήδη βάλει πλώρη για τις GDDR6. Οι εν λόγω μνήμες θα συνεχίσουν από το σημείο που "τερματίζουν" ουσιαστικά οι GDDR5X, δηλαδή τα 14Gbps, προσφέροντας ταχύτητες έως και 16Gbps με τη τελευταία να επιτυγχάνεται προς το τέλος της δεκαετίας (2020) ενώ αλλαγές πραγματοποιούνται και στη δομή των μνημών, ως προς τον τρόπο λειτουργίας τους που σύμφωνα με τα νέα slides που έδωσε στη δημοσιότητα η Samsung, θα αυξήσει το throughput σε σχέση με τις τωρινές GDDR5. Όσον αφορά τις απαιτήσεις τους σε ρεύμα, η Samsung στοχεύει στα 1.35V ως standard από τα 1.5V της πλειοψηφίας των GDDR5 που κυκλοφορούν. [img_alt=Μνήμες GDDR6 το 2018 προβλέπει η Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68649.png[/img_alt] [img_alt=Μνήμες GDDR6 το 2018 προβλέπει η Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68650.png[/img_alt] [img_alt=Μνήμες GDDR6 το 2018 προβλέπει η Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68651.png[/img_alt] [img_alt=Μνήμες GDDR6 το 2018 προβλέπει η Samsung]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68652.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Πρώτα στους καταναλωτές οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Στην IDF η Intel ανέφερε πως οι Optane SSD θα κυκλοφορήσουν αρχικά στους καταναλωτές. Δύο Optane SSDs παρείχε προς επίδειξη η Intel στο Developer Forum της, τοποθετημένους σε δύο μηχανήματα όπου το ένα πραγματοποιούσε μετρήσεις συνθετικών μετροπρογραμμάτων δείχνοντας έτσι το scaling performance των νέων drives ενώ το δεύτερο σύστημα μετρούσε τις επιδόσεις του drive με τη χρήση καθημερινών εφαρμογών και "άφθονο" software rendering. Ο SSD εθεάθη και στα δύο συστήματα και όπως ενημέρωσε η Intel, τα drives θα δοθούν αρχικά στους απλούς καταναλωτές ενώ από τις εικόνες βλέπουμε μια κάρτα μικρού ύψους η οποία χρησιμοποιήθηκε και στο SideFX Houdini render test ως swap file. Το drive των δοκιμών είχε μέγεθος 140GB και όπως γνωρίζουμε είναι ο πρώτος SSD που χρησιμοποιεί μνήμες 3D XPoint, τις οποίες έχει σχεδιάσει η Intel με τη βοήθεια της Micron. [img_alt=Πρώτα στους καταναλωτές οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68551.png[/img_alt] [img_alt=Πρώτα στους καταναλωτές οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68552.png[/img_alt] [img_alt=Πρώτα στους καταναλωτές οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture68553.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Προ των πυλών οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel1.jpg[/NEWS_IMG] Ο SSD εμφανίζεται σε βάση δεδομένων validation από το Πανεπιστήμιο του New Hampshire InterOperability lab που πιστοποιεί πως είναι συμβατοί με το πρότυπο σύνδεσης NVMe. Η Intel φαίνεται πως έχει έτοιμους τους πρώτους Optane SSDs με τις νέες NAND τύπου 3D Xpoint και προετοιμάζει τη κυκλοφορία τους για τις επόμενες εβδομάδες. Στη βάση δεδομένων πιστοποίησης που εμφανίστηκαν, βλέπουμε πως οι SSD συμφωνούν με το πρότυπο σύνδεσης NVMe, μιας και η Intel ήταν από τους πρώτους κατασκευαστές που έδωσαν πνοή σε αυτό. Μαζί με τη Micron, σχεδίαζαν για καιρό τον νέο τύπο NAND, 3D Xpoint, ο οποίος επιτρέπει αρκετά υψηλές ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων. Επιπλέον, η κυκλοφορία των SSD (σε PCIe μορφή κυρίως) ενδέχεται να συμπέσει με τη κυκλοφορία των Kaby Lake-S για τη desktop πλατφόρμα, μαζί με τις αντίστοιχες μητρικές, με τις οποίες θα συνεργάζονται. [img_alt=Προ των πυλών οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture67559.png[/img_alt] [img_alt=Προ των πυλών οι Intel Optane SSDs]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture67558.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Micron SLC Nand Flash μνήμες για IoT και Automotive]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Η Micron ανέπτυξε έναν νέο τύπο NAND Flash ειδικά για την αγορά του Internet of Things καθώς και της αυτοκίνησης. Καθώς οι διεθνής προβλέψεις από μεγάλους οίκους αναλύσεων παγκοσμίως δηλώνουν πως η αγορά του IoT και της έξυπνης αυτοκίνησης θα αυξηθεί σε μια αγορά $3.5 τρις. μέχρι και το έτος 2020 η Micron επενδύει με την ανάπτυξη ενός νέου τύπου NAND Flash, ειδικά σχεδιασμένο για τις συγκεκριμένες εφαρμογές. Η δεύτερης γενιάς Serial (SPI) NAND και η 5ης γενιάς SLC NAND σύμφωνα με την εταιρία προσφέρουν τα μέγιστα ενώ είναι modular για χρήση σε αρκετές εφαρμογές στους δύο παραπάνω τομείς. Παράλληλα, η Micron θα βρεθεί σε πλεονεκτική θέση καθώς ήδη φαίνεται πως έχει αρκετά φιλικές σχέσεις με διάφορες άλλες εταιρίες του ίδιου οικοσυστήματος όπως η Broadcom Corporation η οποία αναπτύσσει συστήματα ασύρματης επικοινωνίας και σε πρόσφατη δήλωσή της, αναφέρει πως η Micron θα βοηθήσει στη περαιτέρω μείωση του κόστους σε αντίστοιχες εφαρμογές. Οι διαθέσιμες πυκνότητες που θα φέρει η Micron θα είναι στα 1, 2 και 4 Gbit. [img_alt=Micron SLC Nand Flash μνήμες για IoT και Automotive]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture67297.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
- 1 reply
-
- 4 gbit
- broadcom corporation
-
(and 4 more)
Tagged with:
-
Μαζί με τους Kaby Lake θα κυκλοφορήσουν οι Optane SSD της Intel
MetallicGR posted a topic in Storage
[NEWS_IMG=Μαζί με τους Kaby Lake θα κυκλοφορήσουν οι Optane SSD της Intel]http://www.hwbox.gr/images/news_images/intel3.jpg[/NEWS_IMG] Η νέα τεχνολογία των 3D XPoint NAND flash που έχει αναπτύξει η Intel σε συνεργασία με την Micron θα κυκλοφορήσει με τη μορφή των νέων Optane SSD μαζί με τη πλατφόρμα 200 Series και τους Kaby Lake επεξεργαστές. Οι 7ης γενιάς CPUs της εταιρίας θα συνοδεύονται εκτός της νέας πλατφόρμας των 200 Series μητρικών και από υποστήριξη των επερχόμενων SSD της Intel, Optane. Η Intel σε συνεργασία με την Micron έχουν αναπτύξει τον σύγχρονο τύπο μνήμης 3D XPoint καθώς και υψηλές ταχύτητες που τερματίζουν το PCIe gen 3.0 x4 interface. Παράλληλα η Intel υπόσχεται υποστήριξη του πρωτοκόλλου σύνδεσης NVMe για χαμηλό Latency και υψηλές ταχύτητες εγγραφής. Οι Optane θα κυκλοφορήσουν αρχικά με high end προδιαγραφές και θα έχουν κωδική ονομασία Mansion Beach ενώ θα ακολουθήσουν οι Brighton Beach με PCIe gen 3.0 x2 interface και τους Stony Beach για την entry level αγορά με προγραμματισμένη ημερομηνία κυκλοφορίας κάποια στιγμή μέχρι το 2018 όπου θα δούμε τους αντικαταστάτες τους ονόματι Carson Beach. [img_alt=Μαζί με τους Kaby Lake θα κυκλοφορήσουν οι Optane SSD της Intel]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture65505.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...-
- 3d xpoint
- high end market
-
(and 5 more)
Tagged with:
-
[NEWS_IMG=Σε μαζική παραγωγή οι GDDR5X από τη Micron]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron.jpg[/NEWS_IMG] Εδώ και μερικές ημέρες η Micron έχει ξεκινήσει την μαζική παραγωγή των νέων GDDR5X chip. Εβδομάδες πριν, είχαμε μεταφέρει τα λεγόμενα της Micron σχετικά με την ανάπτυξη του νέου τύπου μνήμης GDDR5X για τις GeForce κάρτες της NVIDIA. Η παραγωγή θα ξεκινούσε μέσα στο καλοκαίρι και σύμφωνα με νέα δήλωση της Micron που κατασκευάζει πρώτη τα εν λόγω chip, η παραγωγή έχει ήδη ξεκινήσει οπότε και τα πρώτα κομμάτια θα φτάσουν στους πελάτες της σύντομα. Οι GDDR5X βελτιώνονται σημαντικά σε σχέση με τις GDDR5 στον τομέα της κατανάλωσης και αυξάνουν το bandwidth έως και 80%. Συγκεκριμένα ανά pin, οι GDDR5X καταφέρνουν ταχύτητες 10 με 12Gbps σε σχέση με τα 7Gbps των GDDR5. Τέλος, τον ίδιο τύπο μνήμης αναμένεται να χρησιμοποιήσουν και οι επερχόμενες Polaris κάρτες γραφικών της AMD. [img_alt=Σε μαζική παραγωγή οι GDDR5X από τη Micron]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture63006.png[/img_alt] [img_alt=Σε μαζική παραγωγή οι GDDR5X από τη Micron]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture63007.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/images/news_images/galaxy.jpg[/NEWS_IMG] Άλλη μια GTX 1080 προσθέτει η GALAX στο lineup της αλλά αυτή τη φορά βλέπουμε ένα custom cooler που θυμίζει 600 Series. Η εταιρία μαζί με τις εικόνες του προϊόντος, προσθέτει και μερικές εικόνες του PCB αλλά και των νέων μνημών GDDR5X, που για την ώρα κατασκευάζονται από την Micron. Ο πυρήνας βέβαια ανήκει στην GTX 1070 όμως οι διαφορές στην εμφάνιση με την 1080 θα είναι λίγες. Η κάρτα εφοδιάζεται με ένα μαύρο ματ σύστημα ψύξης με blower ανεμιστήρα που θυμίζει έντονα την GTX 680 reference της NVIDIA. Η κάρτα εφοδιάζεται κατά πάσα πιθανότητα με το reference PCB της NVIDIA. [img_alt=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62936.png[/img_alt] [img_alt=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62935.png[/img_alt] [img_alt=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62934.png[/img_alt] [img_alt=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62937.png[/img_alt] [img_alt=GALAX GTX 1080 - Η πρώτη "Custom" με το GP104 GPU]http://www.hwbox.gr/members/2195-albums570-picture62938.png[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
- 16nm
- 600 series
- (and 6 more)
-
[NEWS_IMG=Ο νέος Crucial MX300 αναμένεται το καλοκαίρι]http://www.hwbox.gr/images/news_images/crucial.jpg[/NEWS_IMG] Με χρήση της 3D NAND τεχνολογίας. Χωρίς να ανακοινωθούν ακριβείς λεπτομέρειες, ο νέος Crucial MX300 της Micron θα αξιοποιήσει την 3D (vertical stacked) NAND τεχνική ολοκλήρωσης, με τα NAND να βασίζονται στην TLC τεχνολογία. Με τον συνδυασμό των 2 αυτών τεχνολογιών, ένα ολοκληρωμένο προσφέρει 32 επίπεδα κελιών μνήμης με την συνολική χωρητικότητα να ανέρχεται στα 384 Gbit - κάτι που μεταφράζεται σε 48 GB ανά IC. Σύμφωνα με πληροφορίες, ο νέος Crucial MX300 αναμένεται σε χωρητικότητες των 275GB, 525GB, 750GB καθώς και 1TB, με ημερομηνία κυκλοφορίας την 19η Ιουλίου. Παράλληλα, στις 15 Αυγούστου ακολουθεί η κυκλοφορία ενός 2TB μοντέλου. Όσον αφορά τις επιδόσεις, αυτές θα κινούνται στα συνήθη επίπεδα των 530 MB/s στις αναγνώσεις και 510 MB/s στις εγγραφές, προσφέροντας 83,000 και 92,000 IOPS αντίστοιχα, ενώ τα drive θα έχουν διάρκεια ζωής περί τα 220 ΤΒ. Την ίδια στιγμή αναμένεται και ένα M.2 drive των 750 GB, ενώ σύμφωνα με τις ίδιες πηγές η τιμή για τα drive των 750GB SATA και M.2 μοντέλων θα κινείται κάτω από τα 200$. [img_alt=Ο νέος Crucial MX300 αναμένεται το καλοκαίρι]http://www.hwbox.gr/members/3682-albums85-picture62160.jpg[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...
-
[NEWS_IMG=Νέοι SSDs για Data Center από την Micron]http://www.hwbox.gr/images/news_images/micron2.jpg[/NEWS_IMG] Την επέκταση του portfolio της ανακοίνωσε η Micron. Έχοντας ως στόχο τα μεγάλα data centers, η Micron ανακοίνωσε τα νέα high performance Solid State Drives (SSD), τα οποία εναρμονίζονται με το νεότερο NVMe πρωτόκολλο. Τα νέα drives φέρουν την ονομασία Micron 9100 και 7100 PCIe, που όπως "προδίδει" η ονομασία τους αξιοποιούν το PCI Express bus για να επιτύχουν μεγάλες επιδόσεις. Τα δυο αυτά enterprise drives έρχονται για να εμπλουτίσουν το ήδη μεγάλο portfolio της εταιρίας που περιέχει τόσο SATA όσο και SAS SSDs, την στιγμή που οι επιχειρήσεις βασίζονται στα Storage Area Networks και το Cloud για την εξυπηρέτηση των πελατών τους. Πιο συγκεκριμένα, ο Micron 9100 NVMe PCIe έχει σχεδιαστεί για μέγιστες επιδόσεις στις αναγνώσεις αλλά και μικτά σενάρια χρήσης. Μπορεί να προσφέρει μέγιστη χωρητικότητα περί τα 3.2 TB τόσο σε HHHL όσο και σε 2.5" U.2 form factor, με την εταιρία να ισχυρίζεται έως και 10 φορές περισσότερη ταχύτητα σε σχέση με έναν "συμβατικό" SATA SSD. Από την άλλη, ο Micron 7100 NVMe PCIe SSD προορίζεται για εφαρμογές έμφαση στην εξοικονόμηση ενέργειας αλλά και σε περιβάλλοντα που δίνουν έμφαση στην κατανομή του χώρου. Ο Micron 7100 υπόσχεται υψηλές επιδόσεις και χαμηλό Συνολικό Κόστος Ιδιοκτησίας (TCO), ενώ έρχεται σε μεγέθη των 7mm 2.5" U.2 αλλά και σε M.2, με την εταιρία να υπόσχεται την μισή περίπου κατανάλωση ενέργειας σε σχέση με ένα τυπικό NVMe SSD υψηλών επιδόσεων, την ίδια στιγμή που φέρνει σημαντικά χαμηλότερους χρόνους απόκρισης που είναι αδύνατο να επιτευχθούν από συμβατικούς SATA SSD. Αμφότεροι οι 2 νέοι SSD θα έχουν μέγιστες ταχύτητες περί τα 3 GB/s στις αναγνώσεις και τα 2 GB/s στις εγγραφές με 750K IOPS και 160K IOPS αντίστοιχα. Επιπλέον, η Micron επεκτείνει τα προϊόντα της στην SAS SSD κατηγορία με την σειρά S600DC SAS SSD, η οποία υπόσχεται καλύτερες επιδόσεις αλλά και διάρκεια ζωής, σε μια πιο προσιτή τιμή έναντι των 15Κ σκληρών δίσκων. Η σειρά S600DC φτάνει τα 4TB στις 2.5 ίντσες, αξιοποιώντας το SAS dual port πρότυπο των 12 Gb/s, με τους S610DC και S630DC να παρέχουν έως και 450 φορές περισσότερη ταχύτητα έναντι των 15Κ SAS HDDs, ενώ ταυτόχρονα συγκρατούνται σε παρόμοια τιμή κόστους ανά Gigabyte. [img_alt=Νέοι SSDs για Data Center από την Micron]http://www.hwbox.gr/members/3682-albums85-picture62158.jpg[/img_alt] [img_alt=Νέοι SSDs για Data Center από την Micron]http://www.hwbox.gr/members/3682-albums85-picture62159.JPG[/img_alt] Διαβάστε περισσότερα εδώ...